SK海力士:采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产
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SK海力士:采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产
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7月12日,SK海力士正式對外宣布開始量產適用第四代10納米(1a)級工藝的8Gigabit(Gb) *LPDDR4移動端DRAM產品。SK海力士官方表示,公司預計從下半年開始向智能手機廠商供應適用1a納米級技術的移動端DRAM。
自從10納米級DRAM產品開始,半導體業內將每一代工藝節點都以標注英文字母的方式起名,此次SK海力士量產的1a納米級工藝是繼1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)之后的第四代工藝節點。相較前一代1z納米級工藝的同樣規格產品,1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產出的產品數量約提高了25%,這也將進一步提升DRAM的產能。
采用EUV技術的第四代10nmDRAM正式量產
在性能方面,SK海力士的LPDDR4移動端DRAM支持4266Mbps的最高速度,同時功耗相較前一代產品降低了約20%。
SK海力士同時表示,除LPDDR4產品外,公司還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。
總結
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