cmos 中的阱是進(jìn)行cmos集成電路的基本部分，通常是在晶圓（襯底）上進(jìn)行摻雜擴(kuò)散。摻入5價(jià)磷的為n阱，3價(jià)硼的為p阱；n阱的多數(shù)載流子為電子，p阱的多數(shù)載流子為空穴。

寄生二極管

在最基本的n阱和p襯底之間形成的二極管為寄生二極管，同理，在進(jìn)行基本的反向器制作中，會(huì)有寄生三極管的問題。

n阱用作電阻

電阻的阻值與電阻材料的電阻率和電阻尺寸有關(guān)。n阱的設(shè)計(jì)規(guī)則：n阱自身的尺寸、多個(gè)n阱之間的間距。

p型襯底上的n阱形成的二極管的DC特性，即為二極管的伏安特性方程；具體通過PN結(jié)的物理學(xué)特性、載流子濃度、費(fèi)米能級、耗盡層電容、存儲或擴(kuò)散電容等量化引出了n阱二極管的寄生電容和寄生電阻。進(jìn)一步講述了該二極管在形成的RC寄生電路，其中對脈沖輸入信號的上升和延遲時(shí)間進(jìn)行了量化求解。

為了減輕過度摻雜效應(yīng)，講述了雙阱工藝，給出了阱的設(shè)計(jì)規(guī)則和對應(yīng)的SEM圖。

通過第二章的學(xué)習(xí)了解了CMOS的基本制造要注意微小粒子數(shù)量級的閾度，比如單位si原子的數(shù)量為5*10的22次方（cm3），本征硅里的載流子數(shù)量為1.45*10的10次方（cm3）。大約10的12次方的si原子中才會(huì)有一個(gè)電子空穴對。對于摻雜的時(shí)候，摻雜的數(shù)量級是10的18次方個(gè)原子。打破原有的思維慣性，對于粒子的數(shù)量級要有一個(gè)分級的概念。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的CMOS 集成电路设计手册 （基础篇）--学习笔记 第二章的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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