半导体存储器分类
1.按制造工藝:半導體存儲器可分為“雙極型”器件和“MOS型”器件。
(1)雙極型器件具有存取速度快的優勢,主要用于要求讀寫速率很高的存儲場合;但是集成度低,功耗大,成本高是很大的缺點;
(2)MOS型器件雖然速度較雙極型慢,但是集成度高,功耗低,價格便宜等優勢,所以成為微機系統的主要存儲器。
2.按連接方式:半導體存儲器可分為“并行”芯片和“串行”芯片。
(1)并行連接的存儲器芯片設計有類似微處理器地址總線和數據總線引腳,使用較多的地址和數據引腳可以并行傳輸存儲器地址和數據,以獲得較高的傳送速率,是通用微機系統的主要存儲器。
(2)串行連接的存儲器芯片主要采用2線制的I^2C總線接口和3線制的SPI總線接口,只能串行傳輸存儲器地址和數據,但引腳可以減少封裝面積,便于嵌入式系統中使用。
3.按存取方式:半導體存儲器采用隨機存取方式。
(1)隨機存取:表示可以從任意位置開始讀寫,存取位置可以隨機確定,只要給出存取位置就可以讀寫內容,存取時間與所處位置無關。
(2)順序存取:表示必須按照存儲單元的順序讀寫,存取時間與所處位置密切相關,例如,磁帶存儲器采用的就是順序存取方式。磁盤和光盤則采用直接存取方式,磁頭以隨機方式尋道,以數據塊為單位順序方式讀寫扇區。
4.按照半導體存儲器讀寫的特點和易失性質:分為隨機存取存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)兩類。
(1)隨機存取存儲器:靜態RAM(SRAM)和動態RAM(SRAM)。
(2)只讀存儲器:掩膜ROM,一次性可編程ROM(PROM),可擦除可編程ROM(EPROM),電擦除可編程ROM(EEPROM),閃速存儲器(Flash Memory).
來自《16/32微機原理,匯編語言及接口技術教程》
總結
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