存儲器分類

1.1按信息可保存性分類

易失性存儲器：斷電后信息即消失的存儲器。
非易失性存儲器：斷電后仍能保存信息的存儲器。

1.2按存儲器的讀寫功能分類

1.2.1只讀存儲器ROM

Read Only Memory。存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。

掩膜型ROM（MROM）：Mask ROM
可編程ROM（PROM）：Programmable ROM
可擦除PROM（EPROM）：Erasable Programmable ROM
電可擦除PROM（EEPROM）：Electric Erasable Programmable ROM。Intel結合EPROM和EEPROM兩項技術發明了NOR Flash，它帶有一個SRAM接口。后東芝公司發表NAND Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。兩種Flash具有相同的存儲單元，工作原理也一樣。

1.2.2隨機讀寫存儲器RAM

動態隨機存取存儲器DRAM：DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存。SDRAM同步動態隨機存儲器（synchronous dynamic random-access memory）是有一個同步接口的DRAM。SDRAM的下一個迭代是DDR（Double Data Rate） SDRAM。主要改進來自于主時鐘的上升沿和下降沿傳輸數據的能力，而所有的命令和操作只在時鐘的上升沿發生——每個時鐘周期有效地發送兩倍的數據。

靜態隨機存取存儲器SRAM：SRAM的數據則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。
靜態，指的是內存里面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。

1.3按存儲介質分類

半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。U盤是半導體存儲器，U盤內集成的是Flash芯片，存儲介質為半導體。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
光學存儲：光盤，DVD。

1.4按存儲方式分類

隨機存儲器（RAM）
順序存儲器（磁帶存儲器）

1.5按在計算機系統中的作用分類

主存儲器：用途：存放計算機運行期間的大量程序和數據。特點：存取速度較快，存儲容量不大。
輔助（外）存儲器：用途：存放計算機運行期間的大量程序和數據。特點：存取速度較快，存儲容量不大。
高速緩沖存儲器Cache：用途：高速存取指令和數據。特點：存取速度快，但存儲容量小。
控制存儲器：用來存放實現全部指令系統的所有微程序，它是一種只讀型存儲器，一旦微程序固化，機器運行時則只讀不寫。

總結

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