目錄

• 符號
• 寄生二極管（體二極管）的方向
• 連接方法
• 作用
• • 導通問題
  • • NMOS
    • PMOS
  • 開關作用
  • 隔離作用
• 引腳分辨
• 常見型號
• NMOS的參數
• • VDSS最大漏-源電壓
  • VGS最大柵源電壓
  • ID-連續漏電流
  • VGS（th）
  • RDS（on）導通電阻
  • Ciss：輸入電容
  • Qgs，Qgd，和Qg
• 損耗因素
• • 導通損耗
  • 開關損耗

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視頻地址：唐老師講電賽（6）MOS管

符號

G極，不用說比較好認。
S極，不論是P溝道還是N溝道兩根線相交的就是；
D極，不論是P溝道還是N溝道：是單獨引線的那邊。

寄生二極管（體二極管）的方向

它的判斷規則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。

連接方法

一般用的MOS管均為增強型MOS管。

作用

開關作用

隔離作用

可調電阻

???????如果MOS管用作開關時，（不論N溝道還是P溝道），一定是寄生二極管的負極接輸入邊，正極接輸出端或接地。
???????否則就無法實現開關功能了。
???????所以，N溝道一定是D極接輸入，S極接輸出或地。
???????P溝道則相反，一定是S極接輸入，D極接輸出。
???????如果MOS管用作隔離時，（不論N溝道還是P溝道），寄生二極管的方向一定是和主板要實現的單向導通方向一致。
???????筆記本主板上用PMOS做隔離管的最常見，但也有極少的主板用NMOS來實現。

導通問題

NMOS

PMOS

開關作用

MOS開關實現電壓通斷：（下圖管子符號應該用錯了，圖上是耗盡型MOS管，應為增強型MOS管）

隔離作用

引腳分辨

常見型號

IRF540　 TO-220 100V 33A
IRF640
IRF840
IRLR7843　TO-252-3 N溝道　30V/161A
Si2301　PMOS -20V 0.19Ω -1.6A
Si2302
Si2343　PMOS -30V 0.075Ω -4.6A
2N7002

NMOS的參數

VDSS最大漏-源電壓

???????在柵源短接，漏-源額定電壓（VDSS）是指漏-源未發生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據溫度的不同，實際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS.

VGS最大柵源電壓

???????VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓。設定該額定電壓的主要目的是防止電壓過高導致的柵氧化層損傷。

ID-連續漏電流

???????ID定義為芯片在最大額定結溫TJ（max）下，管表面溫度在25℃或者更高溫度下，可允許的最大連續直流電流。

VGS（th）

???????是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結溫）也是有規格的。正常情況下，所有的MOS柵極器件的閾值電壓都會有所不同。因此，VGS（th）的變化范圍是規定好的。VGS（th）是負溫度系數，當溫度上升時，MOSFET將會在比較低的棚源電壓下開啟。

RDS（on）導通電阻

???????RDS（on）是指在特定的漏電流（通常為ID電流的一半）、柵源電壓和25℃的情況下測得的漏-源電阻。

Ciss：輸入電容

???????將漏源短接，用交流信號測得的柵極和源極之間的電容就是輸入電容。Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯而成，或者Ciss=Cgs +Cgd，當輸入電容充電致閾值電壓時器件才能開啟，放電致一定值時器件才可以關斷。因此驅動電路和Ciss對器件的開啟和關斷延時有著直接的影響。

Qgs，Qgd，和Qg

???????棚電荷柵電荷值反應存儲在端子間電容上的電荷，既然開關的瞬間，電容上的電荷隨電壓的變化而變化，所以設計柵驅動電路時經常要考慮柵電荷的影響。
???????柵極電荷Qg是產生開關損耗的主要原因。柵極電荷是MOS管門極充放電所需的能量，相同電流、電壓規格的MOSFET，具有比較大的柵極電荷意味著在MOS開關過程中會損耗更多的能量。所以，為了盡可能降低MOS管的開關損耗，工程師在電源設計過程中需要選擇同等規格下Qg更低的MOS管作為主功率開關管。

損耗因素

???????影響開關電源電源效率的兩個損耗因素是：導通損耗和開關損耗。

導通損耗

???????導通損耗具體來講是由MOS管的導通阻抗Rds產生的，Rds與柵極驅動電壓Vgs和流經MOS管的電流有關。如果想要設計出效率更高、體積更小的電源，必須充分降低導通阻抗。

開關損耗

???????開關損耗，柵極電荷Qg是產生開關損耗的主要原因。柵極電荷是MOS管門極充放電所需的能量，相同電流、電壓規格的MOSFET，具有比較大的柵極電荷意味著在MOS開關過程中會損耗更多的能量。所以，為了盡可能降低MOS管的開關損耗，工程師在電源設計過程中需要選擇同等規格下Qg更低的MOS管作為主功率開關管。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的【电路补习笔记】6、MOS管的参数与选型的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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