multisim怎么设置晶体管rbe_multisim中三极管参数
Is=14.34f
反向飽和電流。
Xti=3
飽和電流的溫度指數
Eg=1.11
硅的帶隙能量
Vaf=74.03
正向歐拉電壓
1
Bf=255.9
正向電流放大系數
Ne=1.307
B--E
極間的泄漏飽和發射系數
+
Ise=14.34f
B--E
極間的泄漏飽和電流
Ikf=.2847
正向
BET
A
大電流時的滑動拐點
Xtb=1.5
電流放大系數的溫度系數
Br=6.092
理想反向電流放大系數
Nc=2
B--C
間的泄漏發射系數
Isc=0
Ikr=0
反向
BETA
(
R
)大電流時的滑動拐點
Rc=1
集電極電阻
+
Cjc=7.306p
B-E
結零偏壓時的耗盡電容。
Mjc=.3416
B-C
結指數因子
Vjc=.75
B-C
結內建電勢
Fc=.5
正向偏壓時的耗盡電容系數
Cje=22.01p
B-E
結零偏壓時的耗盡電容
Mje=.377
B
——
E
結指數因子
Vje=.75
B-E
結內建電勢
+
Tr=46.91n
反向渡越時間
Tf=411.1p
正向渡越時間
Itf=.6
正向渡越時間隨
VBE
變化的參數
Vtf=1.7
Xtf=3?Rb=10)
正向渡越時間隨偏置變化的參數
1,
什么是歐拉電壓
(early?voltage)?
三極管的
Ic-Vbe
圖、
MOS
管的
Id-Vgs
圖中,曲線的反向延長線都會交于一點,此點被稱為
early?voltage
。
Early?voltage
是一個重要參數
"Early?voltage"
符號
VA
,
在三極管放大區中,
理想情況下
vce
的
變化是不會引起
ic
的變化的,
但實際上
vce
變化會引起
ic
的變化,
那么
ic-vce
就不是一條直
線,而是一條斜線,這也是導致了
β
值不是固定值,
ic-vce
曲線在放大區斜率的倒數,就是
我們在小信號分析中考慮到的
ro
,
理想情況下公式
:
ic=Is*exp(vbe/VT)
考慮到
VA
的修正公式:
ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA)
ro
是
vce
對
ic
的求導,即
ic-vce
在放大區的斜率的倒數,得到
ro
≈
VA/Ic
VA
越大,
ro
越大,
ic-vce
越接近理想水平線。
但反向延長線是否交于一點呢?是否有理論依據?
"We
observe
that
the
characteristic
curves,
though
still
straight
lines,
have
finite
slope.In
fact,
when?extrapolated,?the?characteristic?lines?meet?at?a?point?on?the?negative?vce?axis,?at?vce=-VA.?It
is?called?the?Early?voltage,?after?the?scientist?who?first?studied?this?phenomenon.
...
The?linear?dependence?of
ic?on?vce?CAN?be?accounted?for?by?assuming?that?Is?remains?constant
and
including
the
factor
(1+vce/VA)
in
the
equation
for
ic
as
follows:
總結
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