FBGA封裝

Fine-Pitch Ball Grid Array：細間距球柵陣列 　　FBGA（通常稱作CSP)是一種在底部有焊球的面陣引腳結(jié)構，使封裝所需的安裝面積接近于芯片尺寸。 　　BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。 　　采用BGA技術封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，采用BGA封裝技術的內(nèi)存產(chǎn)品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。 　　BGA發(fā)展來的CSP封裝技術正在逐漸展現(xiàn)它生力軍本色，金士頓、勤茂科技等領先內(nèi)存制造商已經(jīng)推出了采用CSP封裝技術的內(nèi)存產(chǎn)品。CSP，全稱為Chip Scale Package，即芯片尺寸封裝的意思。作為新一代的芯片封裝技術，在BGA、TSOP的基礎上，CSP的性能又有了革命性的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經(jīng)相當接近1：1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6。這樣在相同體積下， 內(nèi)存條可以裝入更多的芯片，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍，圖4展示了三種封裝技術內(nèi)存芯片的比較，從中我們可以清楚的看到內(nèi)存芯片封裝技術正向著更小的體積方向發(fā)展。CSP封裝內(nèi)存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2mm，大大提高了內(nèi)存芯片在長時間運行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。CSP封裝的電氣性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相當大的提高。在相同的芯片面積下CSP所能達到的引腳數(shù)明顯的要比TSOP、BGA引腳數(shù)多的多（TSOP最多304根，BGA以600根為限，CSP原則上可以制造1000根），這樣它可支持I/O端口的數(shù)目就增加了很多。此外，CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效的縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%－20%。在CSP的封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由于焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內(nèi)存芯片在運行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上并散發(fā)出去；而傳統(tǒng)的TSOP封裝方式中，內(nèi)存芯片是通過芯片引腳焊在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB板傳熱就相對困難。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。測試結(jié)果顯示，運用CSP封裝的內(nèi)存可使傳導到PCB板上的熱量高達88.4%，而TSOP內(nèi)存中傳導到PCB板上的熱量能為71.3%。另外由于CSP芯片結(jié)構緊湊，電路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的電功率消耗，致使芯片耗電量和工作溫度相對降低。目前內(nèi)存顆粒廠在制造DDR333和DDR400內(nèi)存的時候均采用0.175微米制造工藝，良品率比較低。而如果將制造工藝提升到0.15甚至0.13微米的話，良品率將大大提高。而要達到這種工藝水平，采用CSP封裝方式則是不可避免的。因此CSP封裝的高性能內(nèi)存是大勢所趨. 　　這種高密度、小巧、扁薄的封裝技術非常適宜用于設計小巧的手持式消費類電子裝置，如個人信息工具、手機、攝錄一體機、以及數(shù)碼相機。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的FBGA的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。