10 月 17 日消息，根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，臺積電受到英特爾 3 納米工藝外包延后、美國新廠 4nm 工藝量產(chǎn)延遲等諸多因素影響，該公司今年資本指出降至 300 億美元以下，如果消息屬實(shí)，將會創(chuàng)下近三年來的最低點(diǎn)。

市場研究人員認(rèn)為，臺積電即便下調(diào)今年的資本支出，也會增加研發(fā)費(fèi)用，繼續(xù)推進(jìn)先進(jìn)工藝的研發(fā)。

積電迅速擴(kuò)大資本支出，去年達(dá)到 363 億美元的歷史新高。今年上半年，實(shí)際資本支出為 181.1 億美元，其中第二季度為 81.7 億美元，較第一季度的 99.4 億美元略有下降。

臺積電在 7 月份的財(cái)報(bào)會議上表示，今年的資本支出將保持在 320 億美元至 360 億美元（備注：當(dāng)前約 2339.2 億元至 2631.6 億元人民幣）之間，考慮到市場動態(tài)，預(yù)計(jì)全年實(shí)際支出將接近該區(qū)間的下限。

最新報(bào)告顯示，由于英特爾 3 納米外包的延遲以及美國晶圓廠 4 納米生產(chǎn)計(jì)劃的推遲，原定用于今年資本支出的約 40 億美元可能會推遲到明年，從而導(dǎo)致資本支出減少，今年的支出低于 300 億美元（當(dāng)前約 2193 億元人民幣）。至于明年的資本支出，可能與今年持平。

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總結(jié)

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