1. 電腦內存條怎么看?

常用的兩種方法，一種是進入筆記本bios，另外一種就是借助電腦硬件檢測工具，檢測一下就知道了。介紹下方法：

方法一：在bios中查看筆記本內存型號

如果覺得在電腦中查看筆記本內存型號比較麻煩的話，還可以進入電腦bios中查看，具體需要重啟電腦，然后進入bios中，去查看相關硬件信息，在開機的時候，會進行硬件自檢，從開機界面中也可以查看到內存型號信息。

方法二：借助硬件檢測軟件查看筆記本內存條型號

電腦硬件檢測軟件有很多，以魯大師為例查看筆記本內存型號方法。

在筆記本電腦中下載安裝魯大師軟件，安裝之后，打開運行，然后進入到硬件檢測界面，這里就可以看到，筆記本的內存型號了。

2. 電腦內存條怎么看型號

如果內存條在電腦中可以用魯大師、CPU-Z等軟件查看內存情況，如“DDR3L”，帶L標示的為低電壓版內存條，可以通過購買電腦時的配置說明書，查看該款筆記本電腦的內存條具體品牌與型號，然后再上網對照查詢，可以知道它是低壓還是標壓如果內存條是拆下來，然后觀察內存條的內存顆粒（集成電路芯片，很小的）上的型號標識（如PC3L，帶L標示的是低電壓版），或者再根據標識到網上查詢，也可以知道它是低壓還是標壓的

3. 電腦內存條怎么看幾g

1G=1024MB是一個電腦存儲的基本單位(字節),1個英文字符是1個字節,也就是1B，1個漢字為2個字符，也就是2B。K是千的意思，KB也就是1000字節，但計算機的運算和數學有所不同，是1024字節為1KB，所以說1024B=1KBM是兆的意思，運算也是類似，以1024進一位，也就是說1024KB=1MB依此類推，1024MB=1GBB——比特KB——千比特MB——兆比特（一般計算機的內存條都是用此來計算單位的）GB——吉比特（一般計算機的CPU都是用此來計算單位的）KB千字節MB兆字節GB吉字節

4. 電腦內存條怎么看正反

有區別。因為一般來說，內存條只有一面是有讀取芯片的設置的，所以要正

5. 電腦內存條怎么看幾代

在操作系統內是無法分辨的，需要借助另外一款軟件來進行查詢。在網上搜尋一個驅動大師,點擊下載 下載完成后,會在桌面生成一個360驅動大師,雙擊進入點擊硬件信息 在基本硬件展示里,只需要查看內存的信息就可以查到了，另外其他硬件也可以查詢到。

6. 電腦內存條怎么看多大g

容量為256g的固態硬盤在電腦中顯示的容量為238.4185791GB。 計算方法如下: 硬盤廠商在計算容量方面是以每1000為一進制的。 256G=256000MB=256000000KB=256000000000B。

7. 電腦內存條怎么看ddr幾

可通過操作系統或是頻率來確定內存條是DDR幾的，在操作系統中，我們通過資源管理器可以查看內存的代數，另外，我們通過內存的頻率也能判斷出它的代數，比如說1333到1666之間為DDR 3，他之下的為DDR 2，他知道2666之間DDR 4這個之上ddR5

8. 電腦內存條怎么看品牌

一種參數，一般存儲在內存條的SPD上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，他是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。Row－precharge Delay（tRP），內存行地址選通脈沖預充電時間。Row－active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主板的BIOS中可以設定，內存模組廠商也有計劃的推出了低于JEDEC認證標準的低延遲型超頻內存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3至5個百分點。

在一些技術文章里介紹內存設置時序參數時，一般數字“A-B-C-D”分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個參數及BIOS設置中影響內存性能的其它參數逐一給大家作一介紹：

一、內存延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設置

首先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設置中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable），如果要調整內存時序，應該先打開手動設置，之后會自動出現詳細的時序參數列表：

Command Per Clock(CPC)

可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。

顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。

該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。

CAS Latency Control(tCL)

可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。

CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低。

內存是根據行和列尋址的，當請求觸發后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預充電后，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要數據的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最后一個步驟，也是內存參數中最重要的。

這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。

該參數對內存性能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統的穩定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設為3。

RAS# to CAS# Delay(tRCD)

可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在JEDEC規范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時，系統將處于最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。

如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。

Min RAS# Active Timing(tRAS)

可選的設置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

該值就是該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的最后一個參數，即8。Min RAS# Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內存行有效至預充電的最短周期”，調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－10之間。這個參數要根據實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太長，系統會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發傳輸，這樣會引發丟失數據或損壞數據。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設置為7個時鐘周期。為提高系統性能，應盡可能降低tRAS的值，但如果發生內存錯誤或系統死機，則應該增大tRAS的值。

如果使用DFI的主板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。

Row Precharge Timing(tRP)

可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第3個參數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。

tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數內存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數據丟失，不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計算機來說，推薦預充電參數的值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。

如果使用DFI的主板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數。

Row Cycle Time(tRC)

可選的設置：Auto，7-22，步幅值1。

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時間”，它是包括行單元預充電到激活在內的整個過程所需要的最小的時鐘周期數。

其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設置該參數之前，你應該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鐘周期后激活新的地址而等待無謂的延時，而降低性能。然后一旦該值設置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。

在這種情況下，仍會導致數據丟失和損壞。因此，最好根據tRC = tRAS + tRP進行設置，如果你的內存模塊的tRAS值是7個時鐘周期，而tRP的值為4個時鐘周期，則理想的tRC的值應當設置為11個時鐘周期。

Row Refresh Cycle Time(tRFC)

可選的設置：Auto，9-24，步幅值1。

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鐘周期數。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次發送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設置，17-19是建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數穩定值為tRC加上2-4個時鐘周期。

Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)

可選的設置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。

Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。

延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數據，太短的延遲會引起連續數據膨脹。于桌面計算機來說，推薦tRRD值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置，此時的數據膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。

如果使用DFI的主板，則tRRD值為00是最佳性能參數，4時能達到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩定運行在00-260MHz。

Write Recovery Time(tWR)

可選的設置：Auto，2，3。

Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預充電發生前，寫緩沖中的數據可以被寫進內存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致數據還未被正確寫入到內存單元中，就發生了預充電操作，會導致數據的丟失及損壞。

如果你使用的是DDR200和266的內存，建議將tWR值設為2；如果使用或DDR400，則將tWD值設為3。如果使用DFI的主板，則tWR值建議為2。

Write to Read Delay(tWTR)

可選的設置：Auto，1，2。

Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數據進入讀指令。它設定向DDR內存模塊中的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。

tWTR值為2在高時鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統穩定性。這種情況下，也使得內存芯片運行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內容模塊運行于比其默認速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設為1，如果系統不穩定，則改為2。

Refresh Period(tREF)

可選的設置：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內存模塊的刷新周期。

先請看不同的參數在相同的內存下所對應的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應的準確數據。

1552= 100mhz　　2064= 133mhz　　2592= 166mhz　　3120= 200mhz　　---------------------

3632= 100mhz　　4128= 133mhz

4672= 166mhz

0064= 200mhz

---------------------

0776= 100mhz　　1032= 133mhz　　1296= 166mhz　　1560= 200mhz

---------------------

1816= 100mhz　　2064= 133mhz　　2336= 166mhz　　0032= 200mhz　　---------------------

0388= 100mhz(15.6us)

0516= 133mhz(15.6us)

0648= 166mhz(15.6us)

0780= 200mhz(15.6us)

---------------------

0908= 100mhz(7.8us)

1032= 133mhz(7.8us)

1168= 166mhz(7.8us)

0016= 200mhz(7.8us)

---------------------

1536= 100mhz(3.9us)

2048= 133mhz(3.9us)

2560= 166mhz(3.9us)

3072= 200mhz(3.9us)

---------------------

3684= 100mhz(1.95us)

4196= 133mhz(1.95us)

4708= 166mhz(1.95us)

0128= 200mhz(1.95us)

如果采用Auto選項，主板BIOS將會查詢內存上的一個很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲了內存條的各種相關工作參數等信息，系統會自動根據SPD中的數據中最保守的設置來確定內存的運行參數。如過要追求最優的性能，則需手動設置刷新周期的參數。一般說來，15.6us適用于基于128兆位內存芯片的內存（即單顆容量為16MB的內存），而7.8us適用于基于256兆位內存芯片的內存（即單顆容量為32MB的內存）。注意，如果tREF刷新周期設置不當，將會導致內存單元丟失其數據。

另外根據其他的資料顯示，內存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導致數據的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是bit。陣列中的每個bit都能被隨機地訪問。但如果不充電，數據只能保存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時數據就被重寫一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性存儲器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO內存每刷新一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的內存每列的刷新時間為15.6?s x2048行=32ms。

9. 電腦內存條怎么看頻率

1、首先打開電腦，按“win+R”鍵打開運行，在運行輸入“cmd”，點擊回車。

2、進去命令提示符之后，輸入“wmicmemorychip”，點擊確定。

3、最后按回車鍵，就可以看到內存條的頻率了。

4、內存條頻率是指內存主頻，是指內存所能達到的最高工作頻率，有兩種表示方法，分別是工作頻率和等效頻率，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，等效頻率不同，DDR內存等效頻率是工作頻率的兩倍，DDR2等效頻率是工作頻率的四倍。

10. 電腦內存條怎么看內存大小

1打開電腦管家，點擊工具箱-硬件檢測

2進入硬件檢測頁面，點擊內存信息，看到內存頻率，1600MHZ的是第三代內存條

第一代內存條:200/266/300/400MHZ 第二代內存條:533/667/800MHZ

第三代內存條:1066/1600/2133/1333MHZ

第四代內存條:3000/2666/3200/2400MHZ

總結

以上是生活随笔為你收集整理的电脑内存条辨认方法(电脑内存条怎么看?)的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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