這個(gè)決定參數(shù)很多的啊，怎么和你說呢。1、如果接口相同的情況下，那么還是移動硬盤快，例如同為USB2.0或者USB3.0。2、如果不同代次的產(chǎn)品，說白了就是接口速度不同的話，那么就不好比較了，還有U盤采用的不同的閃存顆粒類型那么速度也是不同的。例如3.0的U盤有的甚至比2.0的移動硬盤速度還要快很多，2.0的移動硬盤速度也就是25M左右，但是好一些的3.0的U盤速度可以達(dá)到40M甚至更高的速度，例如閃迪至尊可以達(dá)到寫入50M/S的速度，這個(gè)就連2.0的移動硬盤都是沒法比擬的。但是3.0的移動硬盤，一般寫入速度都要在100M左右甚至更高，當(dāng)然這個(gè)是理論測試速度，我測試過，一般用在3.0接口上，根據(jù)不同的文件基本上可以達(dá)到這個(gè)速度。

都一樣，沒多大區(qū)別

移動硬盤和優(yōu)盤差不多，即便是USB3.0的插口，也需要USB3.0的設(shè)備支持，兩頭只要有一個(gè)不是3.0就不能發(fā)揮3.0的效率。主要移動硬盤不是SATA接口，不然USB5.0也比不了SATA3的速度。U盤和移動硬盤傳送方式是不同的。U盤用的是閃存方式。計(jì)算機(jī)把二進(jìn)制數(shù)字信號轉(zhuǎn)為復(fù)合二進(jìn)制數(shù)字信號，讀寫到USB芯片適配接口，通過芯片處理信號分配給EPROM2存儲芯片的相應(yīng)地址存儲二進(jìn)制數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。EPROM2數(shù)據(jù)存儲器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值，柵晶體管的結(jié)電容可長時(shí)間保存電壓值，也就是為什么USB斷電后能保存數(shù)據(jù)的原因硬盤是一種采用磁介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，數(shù)據(jù)存儲在密封于潔凈的硬盤驅(qū)動器內(nèi)腔的若干個(gè)磁盤片上。這些盤片一般是在以鋁為主要成分的片基表面涂上磁性介質(zhì)所形成，在磁盤片的每一面上，以轉(zhuǎn)動軸為軸心、以一定的磁密度為間隔的若干個(gè)同心圓就被劃分成磁道（track），每個(gè)磁道又被劃分為若干個(gè)扇區(qū)（sector），數(shù)據(jù)就按扇區(qū)存放在硬盤上。在每一面上都相應(yīng)地有一個(gè)讀寫磁頭（head），所以不同磁頭的所有相同位置的磁道就構(gòu)成了所謂的柱面（cylinder）。傳統(tǒng)的硬盤讀寫都是以柱面、磁頭、扇區(qū)為尋址方式的（CHS尋址）。硬盤在上電后保持高速旋轉(zhuǎn)（5400轉(zhuǎn)/min以上），位于磁頭臂上的磁頭懸浮在磁盤表面，可以通過步進(jìn)電機(jī)在不同柱面之間移動，對不同的柱面進(jìn)行讀寫

總結(jié)

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