臺(tái)積電今天發(fā)布了Q3季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收為4147億元新臺(tái)幣（約合148億美元），同比增長(zhǎng)16.3%。凈利潤(rùn)為凈利潤(rùn)1563億新臺(tái)幣（約合55.6億美元/358億人民幣），同比增長(zhǎng)13.8%，業(yè)績(jī)很好很強(qiáng)大。

這兩年臺(tái)積電靠著先進(jìn)工藝搶占了全球半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)的份額，第三季度5nm芯片出貨量占晶圓總收入的18%，7nm占34%，這兩種工藝就貢獻(xiàn)了52%的收入，在這方面能打的對(duì)手一個(gè)都沒有，三星及Intel都要落后很多。

不過，對(duì)臺(tái)積電來說，眼下的日子好過，未來幾年的隱憂還是少不了的，危機(jī)早就在埋伏中了。

臺(tái)積電這幾年業(yè)績(jī)大漲是在對(duì)手工藝進(jìn)展落后的情況下實(shí)現(xiàn)的，但是臺(tái)積電7nm節(jié)點(diǎn)開始晶圓成本就降不下來了，5nm成本更高，接下來的3nm升級(jí)周期也延長(zhǎng)到了2.5年，功耗、密度縮放得更差，2nm工藝要到2025年了。

臺(tái)積電的放緩給了三星及Intel追趕的機(jī)會(huì)，按照Intel規(guī)劃的路線圖，他們?cè)?024年要量產(chǎn)20A工藝，大概相當(dāng)于2nm工藝，2025年還會(huì)量產(chǎn)在下一代的18A工藝。

從20A工藝開始，Intel還會(huì)放棄FinFET工藝，升級(jí)兩大革命性新技術(shù)——RibbonFET及PowerVia。

根據(jù)Intel所說，RibbonFET是Intel對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號(hào)傳輸。

總的來說，臺(tái)積電現(xiàn)在的小日子很不錯(cuò)，但是未來幾年里要面臨對(duì)手加速追趕的壓力，Intel CEO基辛格喊出未來幾年恢復(fù)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)地位的口號(hào)不是空話，2025年左右會(huì)有一場(chǎng)決戰(zhàn)。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的台积电3nm、2nm工艺放缓 Intel追上来了：2025年决战的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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