国产19nm DDR4内存芯片良率已达75% 17nm工艺爬升中
2019年9月份,合肥長鑫量產(chǎn)了國內(nèi)首款DDR4內(nèi)存芯片,這兩年來已經(jīng)在多個國產(chǎn)內(nèi)存品牌中商用,性能、價格都不錯。
根據(jù)資料,合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元,選址位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū),占地面積約15.2平方公里,由長鑫12吋存儲器晶圓制造基地(以下簡稱“基地”)、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。
其中,長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目是中國大陸第一個投入量產(chǎn)的DRAM設(shè)計制造一體化項目,也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目,總投資約1500億元;空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園,位于基地以西,總投資超過200億元;
合肥空港國際小鎮(zhèn)位于基地以北,規(guī)劃土地面積9.2平方公里,規(guī)劃總建筑面積420萬平方米,總投資約500億元。
截至2020年底,合肥長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目提前達(dá)到4萬片/月產(chǎn)能,今年3月份開始啟動6萬片/月產(chǎn)能建設(shè),實現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷售的關(guān)鍵跨越。
內(nèi)存技術(shù)上,長鑫量產(chǎn)的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工藝,此前一直沒有公布具體細(xì)節(jié),日前兆易創(chuàng)新在一次會議上透露長鑫的19nm工藝良率已達(dá)75%。
75%的良率在業(yè)內(nèi)不算頂尖水平,不過考慮到長鑫生產(chǎn)內(nèi)存不到2年時間,現(xiàn)在的良率表現(xiàn)已經(jīng)不錯了,制造出來還是能保證毛利的。
此外,長鑫的第二代內(nèi)存升級到了17nm工藝,具體良率沒公布,但目前會比較低,還在爬升中。
總結(jié)
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