先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電、三星一直你追我趕，但是這幾年，三星明顯有些跟不上趟，不但新工藝的量產(chǎn)進(jìn)度緩慢、延遲，性能、客戶規(guī)模也遠(yuǎn)不如對手。

2021國產(chǎn)IP與定制芯片生態(tài)大會(huì)上，三星公開了一份新工藝路線圖，赫然顯示3GAP 3nm要到2023年才會(huì)量產(chǎn)，而臺(tái)積電早就宣稱，會(huì)在明年下半年量產(chǎn)自己的3nm。

三星之前也說過會(huì)在2022年量產(chǎn)3nm，不過一直說的是3GAE版本，也就是3nm gate-all-around early，可以理解為3nm工藝的初始早期版本，而路線圖上的3GAP，指的則是3nm gate-all-around plus，相當(dāng)于3nm工藝的加強(qiáng)版，性能自然更好。

這么看來，三星取消了3GAE，直接上更好的3GAP？

有外媒聯(lián)系了三星的一位發(fā)言人，得到的回應(yīng)是，三星一直在與客戶探討3GAE工藝，將在2022年如期量產(chǎn)。

這么看來，最大的可能是3GAE工藝還在，但沒有外部客戶采納，三星要么拿它來做實(shí)驗(yàn)(代價(jià)有點(diǎn)大)，要么是僅限自用(三星LSI部門)，反正是懸了。

三星宣稱，3GAE工藝對比7LPP可以性能提升最多35％，或者功耗降低最多50％，或者面積減小最多45％，而且最早說的投產(chǎn)時(shí)間是2021年底，現(xiàn)在推到了2022年，但還說如期……

至于3GAP對比3GAE會(huì)有多大提升，三星一直沒有明確給出數(shù)據(jù)。

另外在路線圖上，三星5nm、4nm也都增加了新版本，除了初期的5LPE、4LPE，分別增加了集成度和性能都更高的5LPP、4LPP，都支持EUV極紫外光刻，分別計(jì)劃今年、明年量產(chǎn)。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的三星3nm突变！2023年才量产、落后台积电一年的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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