在半導(dǎo)體工藝延伸到7nm之后，光刻機(jī)越來越重要，EUV光刻機(jī)現(xiàn)在只有荷蘭ASML能生產(chǎn)。不過光有EUV設(shè)備也是不行的，美國半導(dǎo)體設(shè)備公司應(yīng)用材料日前展示了一款全新的設(shè)備，能將7種工藝整合在一起，可用于3nm工藝。

美國應(yīng)用材料公司是全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備公司（ASML今年有望超越他們），雖然不做光刻機(jī)，但他們的PVD、CVD沉積設(shè)備等也是半導(dǎo)體制造中不可少的，也是限制臺(tái)積電、三星、Intel等公司提升工藝的關(guān)鍵。

他們現(xiàn)在研發(fā)的設(shè)備名為Endura Copper Barrier Seed IMS，是用于邏輯芯片布線的，隨著晶體管的縮小，芯片布線也是個(gè)難題，而且導(dǎo)線越小電阻越大，從7nm微縮到3nm的話，電阻就會(huì)增加10倍，這會(huì)帶來更高的功耗，讓工藝微縮失去意義。

現(xiàn)在這套設(shè)備可以在真空環(huán)境下，將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計(jì)量等七種工藝處理集成到一個(gè)系統(tǒng)中完成，不僅簡化了操作，同時(shí)還降低了50%的電阻，芯片的性能及能效更高。

有了這個(gè)設(shè)備，三星、臺(tái)積電及Intel從7nm延伸到3nm也有了可能，因?yàn)檫壿嫴季€占的功耗已經(jīng)達(dá)到了芯片功耗的1/3。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的七种工艺合一 美国应用材料展示全新装备：深入3nm的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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