三星扩大部署EUV光刻工艺:新老内存齐上马、领先对手两年
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                                三星扩大部署EUV光刻工艺:新老内存齐上马、领先对手两年
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                                繼SK海力士日前宣布在M14和建設(shè)中的M16工廠均引入EUV光刻機后,三星也坐不住了。
按照三星的說法,自2014年以來,EUV光刻參與的晶圓超過了400萬片,公司積累了豐富的經(jīng)驗,也比其它廠商掌握更多訣竅,領(lǐng)先對手1到2年。
據(jù)悉,三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV,第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機的參與可以減少多重曝光工藝,提供工藝精度,從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本,并提高性能。
盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV,但層數(shù)過少對效率提升并不明顯,也就是單位成本高,畢竟EUV光刻機買一臺要10億元。三星這方面倒是有優(yōu)勢,因為自己還有晶圓廠,“東方不亮西方亮”光刻機的利用率很高。
總結(jié)
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