中芯国际:第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段
9月22日消息,上周有投資者向中芯國際求證中芯關于下一代芯片量產消息,中芯國際回答表示,中芯國際第二代 FinFET N+1已進入客戶導入階段,可望于2020年底進行小批量試產。
中芯國際于2019年實現了國內最先進的14nm 工藝制程量產,并已為華為麒麟710A 芯片等進行代工。
今年6月,中芯國際表示,14nm 晶圓代工產能正處于初期布局階段,因此全球份額相對較低,不過第一代14nm FinFET 技術已進入量產階段,而且技術上處于國際領先水平,且具有一定的性價比,目前已同眾多客戶開展合作,預測產能利用率可以穩定保持在較高水平。
而關于中芯國際在下一代技術節點的開發情況,中芯國際表示第二代 FinFET 技術目前已進入客戶導入階段,與第一代對比有望在性能上提高約20%,功耗降低約7%,面積縮小63%。
中芯國際表示,14nm 及以下先進工藝主要應用于5G 、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領域,未來發展前景廣闊。
中芯國際12英寸芯片 SN1項目是中國內地第一條14nm 及以下先進工藝生產線,規劃月產能為3.5萬片晶圓,目前已建成月產能6000片。
值得一提的是,目前由于外媒分析稱中芯國際在第二代 FinFET 制程能效不及臺積電7nm 工藝,且有博主稱中芯國際第二代 FinFET N+1技術等效于臺積電8nm 工藝,因此不少媒體以訛傳訛,最后傳出中芯國際官宣8nm 的烏龍事件。
總結
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