RTX 3080 Ti工程卡曝光:三星8nm工艺、4倍光追性能提升
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                                RTX 3080 Ti工程卡曝光:三星8nm工艺、4倍光追性能提升
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                                關于NVIDIA安培顯卡,圈內有新消息傳來。
Moore’s Law is Dead指出,由于滿足不了NVIDIA的預訂產能,今年推出的RTX 30系列顯卡,GPU核心均基于三星8nm打造,臺積電7nm EUV需要等到明年上半年就緒,這意味著,后續的升級該款RTX 30xx Super才有機會換裝7nm核心。
爆料稱認為,這會讓7nm的AMD RDNA2獨顯(“Big Navi”)處于相對有利的位置。
關于GA102核心RTX工程樣卡的細節參數,爆料也做出修正,以下是最新匯總,據說GA102會同時用在RTX 3080 Ti(一說叫3090)和RTX 3080上——
- 罕見的三風扇散熱設計
- 12Pin外接供電接口取代8Pin
- 基礎頻率2GHz,加速2.2GHz
- 默頻下功耗300瓦左右
- 5376個CUDA,12GB顯存,18Gbps帶寬
- 4K繪圖性能提升了40%
- 較RTX 2080 Ti的IPC有堅實提升,光追性能增加3~4倍
- 首發支持DLSS 3.0
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總結
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