中芯国际披露第二代14nm:性能提升20%、功耗降低60%
2019 年,中芯國際量產(chǎn)了國內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程,并已為華為麒麟 710A 處理器等進(jìn)行代工。目前,中芯國際正在回歸A股上市,計劃募資 200 億元,主要就是投入 14nm 等先進(jìn)工藝的開發(fā)。
6 月 7 日晚間,中芯國際在上交所公布了對第一輪審核問詢函的回復(fù),僅用 4 天,創(chuàng)造了一個新紀(jì)錄,而在六大類、29 個問題中,最引人關(guān)注的當(dāng)屬對于新工藝細(xì)節(jié)的披露。
中芯國際表示,14nm 晶圓代工產(chǎn)能正處于初期布局階段,因此全球份額相對較低,不過第一代 14nm FinFET 技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,而且技術(shù)上處于國際領(lǐng)先水平,且具有一定的性價比,目前已同眾多客戶開展合作,預(yù)測產(chǎn)能利用率可以穩(wěn)定保持在較高水平。
中芯國際透露,利用其先進(jìn) FinFET 技術(shù)在晶圓上所制成的芯片,已應(yīng)用于智能手機(jī)領(lǐng)域。雖未進(jìn)一步明確,但顯然指的就是華為麒麟 710A。
在下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)的開發(fā)上,全球純晶圓代工廠僅剩臺積電、中芯國際兩家,第二代 FinFET 技術(shù)目前已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,與第一代對比有望在性能上提高約 20% ,功耗降低約 60%。
中芯國際表示,14nm 及以下先進(jìn)工藝主要應(yīng)用于 5G 、人工智能、智能駕駛、高速運(yùn)算等新興領(lǐng)域,未來發(fā)展前景廣闊,而隨著相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展,先進(jìn)工藝的市場需求將持續(xù)上升,市場份額將不斷擴(kuò)大,成為集成電路晶圓代工市場新的增長點(diǎn)。
根據(jù)招股書披露,中芯國際本次計劃發(fā)行不超過 16.86 億股新股,預(yù)計募資 200 億元人民幣,計劃分別投入中芯南方正在進(jìn)行的 12 英寸芯片 SN1 項目(80 億元)、先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項目儲備資金(40 億元)、補(bǔ)充流動資金(80 億元)。
其中,12 英寸芯片 SN1 項目是中國大陸第一條 14nm 及以下先進(jìn)工藝生產(chǎn)線,規(guī)劃月產(chǎn)能為 3.5 萬片晶圓,目前已建成月產(chǎn)能 6000 片。
本次問詢中,中芯國際又對募集資金投資項目的風(fēng)險進(jìn)行了補(bǔ)充披露:12 英寸芯片 SN1 項目的總投資額為 90.59 億元美元,其中生產(chǎn)設(shè)備購置及安裝費(fèi)達(dá) 733016 萬美元。
SN1 項目達(dá)產(chǎn)后將會貢獻(xiàn)額外的先進(jìn)制程收入,但同時帶來較高的折舊成本壓力。 隨著 14 納米及下一代制程的產(chǎn)線投產(chǎn)、擴(kuò)產(chǎn), 公司一定時期內(nèi)會面臨較大的折舊壓力,該部分業(yè)務(wù)毛利率可能會低于公司平均水平,存在經(jīng)濟(jì)效益不達(dá)預(yù)期,甚至產(chǎn)生較大額度虧損的風(fēng)險。
此外,中芯國際還對研發(fā)費(fèi)用率遠(yuǎn)高于同行的原因及合理性進(jìn)行了說明。數(shù)據(jù)顯示,2019 年臺積電、中芯國際、聯(lián)華電子、華虹半導(dǎo)體的研發(fā)費(fèi)用分別為 211 億元、47 億元、27 億元、4 億元,相應(yīng)占營收比重分別為9%、22%、8%、7%。
中芯國際表示,為加強(qiáng)在先進(jìn)制程方面的技術(shù)實力,公司不斷加大先進(jìn)制程的研發(fā)投入,相繼實現(xiàn)了 28nm HKC+ 工藝、第一代 14nm FinFET 工藝的研發(fā)和量產(chǎn),第二代 14nm FinFET 工藝的研發(fā)也在穩(wěn)健進(jìn)行中,并不斷拓展成熟工藝應(yīng)用平臺,因此公司研發(fā)費(fèi)用率高于可比上市公司。
總結(jié)
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