11 月 9 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星為了加強和英特爾、臺積電的競爭近日介紹了下一代（2.1D）半導體封裝技術，可用于封裝 AI 芯片等高性能半導體。

三星在 2.1D 封裝中，用硅橋（Silicon Bridge）替代了硅中介板（Silicon Interposer），不需要覆蓋整個半導體區域，只是用硅橋接了必要區域。

注：這種封裝技術主要在重布線層（RDL）中插入硅橋（embedded?E），以封裝包含 12 個 HBM 的半導體芯片為例，相比較硅中介板，可以在不降低性能的情況下，成本可降低 22%。

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總結

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