作者：懶貓

　　IT 之家 2 月 5 日消息日前，三星正式宣布推出名為 Flashbolt 的第三代 HBM2（HBM2E）存儲芯片。

　　第三代 HBM2 存儲芯片單顆最大容量 16GB，由 16Gb 的單 Die 通過 8 層堆疊而成，可實現 16GB 的封裝容量，并確保 3.2Gbps 的穩定數據傳輸速度。

　　三星方面表示，新型 16GB HBM2E 特別適用于高性能計算（HPC）系統，并可幫助系統制造商及時改進其超級計算機、AI 驅動的數據分析和最新的圖形系統。

　　三星預計第三代 HBM2 存儲芯片將在今年上半年開始量產。三星將繼續提供第二代 Aquabolt 產品陣容，同時擴展其第三代 Flashbolt 產品。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的单颗最大容量16GB，三星推出业界首款第三代HBM2E显存的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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