Ｑ１：用IAR Embedded Workbench for MSP430 通過JTAG往MSP430上寫程序。為了知道片內程序的版本，必須讀出Flash 中內容。什么工具軟件可以通過JTAG口實現這個功能？
A1：熔絲未燒斷的話，做個空程序的項目，然后在C-SPY選項里選擇保留未改變的區域，DEBUG后看MEMORY里的內容！熔絲燒斷的話只能用編程器或BSL，如果加密了，只能通過BSL來讀了，不過你要知道中斷向量表的32個字節的內容，即密碼。

Q2：MSP430F449中我想把一個整形的數A存入某地方掉電也不丟失，作為以后程序運行的參數。是放在flash里面嗎?用代碼怎么實現?
A2：如果只是個巴字節的話就把它作為數組或者變量定義到FLASH就可以了。如： const unsigned char Value@0x0C000；

Ｑ3: 430里面Flash的主存儲區和信息存儲區有什么區別么？是不是程序是保存在主存儲區里面的?那信息存儲區是存什么信息的呢？存進去之后是不是隨時能夠讀寫出來呢?
A3: Flash分主Flash和信息Flash。如你所說,Flash主存儲區主要來存儲程序。信息Flash就是保存數據用的，可以隨時讀取。不過從物理特性而言他們是一模一樣的，就段的長度有區別。當然信息段你也可以用來存儲程序使用。

Q4：在flash 單字節寫的時候,如我寫在D區,可以不用全部清D區嗎?因為D區還有先前保存的數據.
A4： 不可以。只能先讀出然后全部擦除再重新寫入,如果FLASH可以如您說的那么操作,那就是EEPROM了

Q5： 目前使用的單片機是5V供電，買的flash存儲芯片3.3V供電，單片機和存儲芯片的連接是怎么的呢？我查看一些相關資料，說是可以直接連接，但是直接連接有問題，請問如何連接？？需要什么樣的方法？？
A5： 最好在FLASH與MCU之間接一個電平轉換芯片, 或者用MOFET管轉換一下電平。

Q6：請問擦寫FLASH 選擇頻率時,有沒有要特別注意的,如果我用8M的,不分頻,這樣可以嗎?
A6：要注意啊，擦寫Flash的頻率在250～470K（具體可以查查手冊）；必須對FCTL2進行設置，使頻率在這個范圍內。

Q7: 用jtag接口往430 中寫程序會不會破壞原有flash信息段保存的數據啊？
A7：取消擦除信息段選項，即在IAR project 的options 選項中DEBUG 下的選項。

Q8：從數據手冊上來看，在寫的過程中，好像要求判斷BUSY位來決定接下來的操作，可是為什么TI的例程里面沒有判斷BUSY bit ？是不是MCU會自動判斷？
A8：430對FLASH的寫操作多種。比如塊寫（××OCKWRITE）和字節/字寫（BYTE/WORDWRITE），在不同模式下，允許寫的操作也不同。比如在字節寫（BYTE WRITE）操作下，允許在FLASH MEMORY或在RAM下進行。當在FLASH MEMORY下進行寫操作時，此時CPU是掛起的，直到寫操作完成它才能執行下一個指令操作，但是當擦除程序是在RAM內初始化的，那么CPU就可以一直執行，如果不判斷ＢＵＳＹ位的話，當RAM內代碼執行完畢（us級），ＰＣ跳轉到FLASH，而此時FLASH還再做擦除操作（ms級）就會造成非法訪問，產生不可屏蔽中斷。

Q9：MSP430的編譯器默認是將數組定義在RAM 里面。請問如果我要將定義的數組直接保存在flash里面應該如何定義呢？是不是要修改編譯器的某個配置信息，然后直接用const 定義呢？
A9：這個如何分配，以及用什么關鍵字都是由編譯器決定的，如果你用的是IAR Embedded Workbench for 430，那再在數組聲明的時候，前面加一個CONST那么在編譯的時候就會將數組分配到FLASH空間。如果不加const默認的情況是分配到RAM空間的。

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的MSP430常见问题之FLASH存储类的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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