中國(guó)每年進(jìn)口的集成電路超過 3000 億美元，其中存儲(chǔ)芯片占了大約1/3 的份額，但 DRAM 內(nèi)存及 NAND 閃存目前尚無國(guó)產(chǎn)廠商染指，國(guó)產(chǎn)率基本為0，其中高價(jià)值的內(nèi)存幾乎壟斷在三星、SK Hynix 及美光三家公司中。

　　Digitimes 報(bào)道稱，合肥長(zhǎng)鑫（ChangXin Memory Technologies，簡(jiǎn)稱 CXMT）公司計(jì)劃在今年底量產(chǎn)首款內(nèi)存芯片，是 8Gb LPDDR4 顆粒，預(yù)計(jì) Q4 季度產(chǎn)能約為 2 萬片晶圓/月，不過產(chǎn)能最終會(huì)擴(kuò)大到 12.5 萬片晶圓/月。

　　根據(jù)長(zhǎng)鑫之前的公告，其首批 8Gb LPDDR4 內(nèi)存應(yīng)該是 19nm 工藝的，預(yù)計(jì)在 2020 年建設(shè)第二座晶圓廠，將使用 20nm 以下的工藝生產(chǎn)內(nèi)存，該公司計(jì)劃在 2021 年量產(chǎn) 17nm 工藝的內(nèi)存芯片。

　　此外，國(guó)內(nèi)研發(fā) DRAM 內(nèi)存的另一家公司福建晉華 JHICC 被美國(guó)制裁，業(yè)務(wù)幾乎停擺，長(zhǎng)鑫公司也擔(dān)心被美國(guó)盯上，促使他們?cè)谘邪l(fā)過程中非常注重知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

　　從長(zhǎng)鑫公司之前公布的消息來看，他們的內(nèi)存技術(shù)主要源于破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司，將一千多萬份有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件及 2.8TB 數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是公司最初的技術(shù)來源之一。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在所接收技術(shù)和國(guó)際合作的基礎(chǔ)上，利用專用研發(fā)線，展開世界速度的快速迭代研發(fā)，已持續(xù)投入晶圓超過 15000 片。

總結(jié)

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