? ? 都有說(shuō)STM32的內(nèi)部Flash可以像EPROM一樣操作，單個(gè)字節(jié)單個(gè)字節(jié)的寫(xiě)入。根據(jù)本人的拙見(jiàn)，其實(shí)也就僅僅是“像”而已。原因有以下幾點(diǎn)：

1.首先Flash這種東西，其寫(xiě)入數(shù)據(jù)的原理是便是將1變成0，所以你的某地址Flash一旦已經(jīng)寫(xiě)過(guò)數(shù)據(jù)而且不為0，則當(dāng)你再次需要向該地址寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，必須要先擦除，即把該地址先全部變成1，否則你將數(shù)據(jù)寫(xiě)入該地址后，基本上該地址里面的值已經(jīng)不是你寫(xiě)入的值了。

2.STM32對(duì)內(nèi)部Flash有頁(yè)（1k或者2K）擦除指令，也就是STM32不能單獨(dú)對(duì)某一個(gè)或者某幾個(gè)字節(jié)進(jìn)行擦除。而擦除操作并不需要大量?jī)?nèi)存。

3.如果要像EPROM一樣操作Flash，其原理是先把該一頁(yè)里面的數(shù)據(jù)全部讀到一個(gè)buf里面，如果你希望整頁(yè)的數(shù)據(jù)不丟失，那么buf的大小至少應(yīng)該和頁(yè)大小一樣，即為1K或者2K（大小視MCU型號(hào)而定）。然后對(duì)整頁(yè)進(jìn)行擦除，再把要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)先寫(xiě)到之前的buf里面（用要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)替換buf里相應(yīng)位置的原來(lái)的數(shù)據(jù)），再把整個(gè)buf寫(xiě)到Flash里面。如此便實(shí)現(xiàn)了任意數(shù)據(jù)長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)寫(xiě)入Flash。

4.正如第3點(diǎn)，如果你跑的是系統(tǒng)，諸如（UCOS，RTX，FRERTOS）等，那么你進(jìn)行此操作的task的堆棧至少應(yīng)該為1K+N或者2K+N。否則直接堆棧溢出而進(jìn)hard fault。我想這是我們大家所不能忍受的。

? ? ? 當(dāng)然，對(duì)于上述問(wèn)題有一些變通的方法，如果你要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)比較少，比如幾十個(gè)Byte，那么你可以將buf改小，只要大于等于你要保存的數(shù)據(jù)數(shù)量就可以了，這樣便可以大大減小內(nèi)存。另外，STM32支持字（4Byte）或者半字（2Byte）寫(xiě)入，所以你的buf應(yīng)該為偶數(shù)。如果你要寫(xiě)入的數(shù)量為奇數(shù)，buf也應(yīng)該為偶數(shù)，不足的在buf里補(bǔ)0或任意一個(gè)數(shù)就好。因?yàn)?#xff0c;如果你的buf為奇數(shù)的話，在寫(xiě)入最后一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)，系統(tǒng)會(huì)在內(nèi)存中隨便抓一個(gè)地址里的數(shù)據(jù)，寫(xiě)進(jìn)去，這可能出問(wèn)題。（究竟有沒(méi)問(wèn)題我沒(méi)有試過(guò)）。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的关于STM32像EPROM一样可以单字节写内部Flash的理解的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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