DRAM、SRAM、SDRAM、DDRSDRAM的区别
SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路,每隔一段時間,固定要對DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積
優(yōu)點,速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。?
缺點,集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價格較高,少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。?
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。
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SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存儲器,采用3.3v工作電壓,帶寬64位,SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起,使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期,以相同的速度同步工作。SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu),內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列,當CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時,另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準備,通過這兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率就能得到成倍的提高。
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DDRSDRAM前面DDR就是Dual Data Rate,雙倍速率,2bit預讀,上下同時讀寫,相當于SDRAM的頻率X2,所以現(xiàn)在DDR400的實際頻率只有200MHz,但是等效400MHz,同理現(xiàn)在的DDR2是4bit預讀
總結(jié)
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