功率場效應管（P-MOSFET）屬于電壓全控型器件，門極靜態電阻極高、驅動功率小、工作頻率高、熱穩定性好；但是電流容量小、耐壓低、功率不易做大，常用于中小功率開關電路。

電氣符號

外形

特性

輸出特性和轉移特性（和MOSFET類似）：作為電力開關使用時，導通時必須工作在線性導電區I，否則通態壓降太大，功耗也大。

主要參數

通態電阻Ron：在確定Ugs下，由線性導電區進入飽和恒流區時的直流電阻，它是影響最大輸出功率的重要參數。

開啟電壓Ut：溝道形成所需的最低柵極電壓。開啟電壓一般為2~4V。

漏極擊穿電壓BUds：為避免器件進入雪崩擊穿區而設的極限參數。

柵源擊穿電壓BUgs：柵源所能承受的最高正反電壓。一般極限值為±20V。

極間電容：柵源電容Cgs、柵漏電容Cgd、漏源電容Cds。Cin=Cgs+Cgd，Cout=Cgd+Cds，Cf=Cgd。

柵極驅動

1.觸發脈沖要有足夠快的上升和下降速度，即脈沖前、后沿要求陡峭。

2.為使P-MOSFET可靠觸發導通，觸發電壓應高于開啟電壓Ut，但不得超過最大觸發額定電壓BUgs。觸發脈沖電壓也不能過低，否則會使通態電阻增大，降低抗干擾能力。

3.驅動電路的輸出電阻應低，開通時以低電阻對柵極電容充電，關斷時為柵極電荷提供低電阻放電回路，以提高開關速度。

4.為防止誤導通，在截止時應能提供負的柵源電壓。

保護

防靜電擊穿保護；柵源過壓保護；漏源過壓保護；短路、過流保護。

仿真模型

路徑

電路模型

輸入輸出

d：漏極? ? s：源極? ? g：柵極? ? m：測量電流和電壓[Iak， Vak]

參數

Ron：內電阻。當內電感設為0時，內電阻不能設為0。

Lon：內電感。當內電阻設為0時，內電感不能為0。

Rd：內部二極管電阻。

Vf：內部二極管正向管壓降。

Ic：初始電流。設為非零時，初始狀態導通。

Rs：緩沖電阻（和緩沖電容串聯，與二極管并聯）。Rs為0，純電容。

Cs：緩沖電容（和緩沖電容串聯，與二極管并聯）。Cs為inf，純電阻。Rs為inf，Cs為0，消除緩沖。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的Simulink之功率场效应晶体管（P-MOSFET）的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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