2018-1-3

按照ROM的定義而言，一旦注入了原始信息即不能改變，但是隨著用戶的需要，我們總希望能任意改變ROM內(nèi)的原始信息。這便出現(xiàn)了PROM，EPROM，EEPROM等。

對(duì)于半導(dǎo)體ROM而言，基本器件分為兩種：MOS型與TTL型。

1.掩模ROM
（Masked ROM）
我們可以根據(jù)行，列交叉處是否有MOS管來判斷輸出。若行，列交叉處有MOS管，則因其導(dǎo)通使得列線輸出為低電平，經(jīng)放大器反向?yàn)楦唠娖?#xff0c;輸出為”1”。由于此ROM制作成后不能改變?cè)?#xff0c;列交叉處的MOS管是否存在，所以，這是不可編程的ROM。

2.PROM
（Programmable ROM）
我們可以根據(jù)熔絲斷和未斷來區(qū)別其所存信息為“1”或“0”。若欲存“0”，則置耦合元件大電流，將熔絲燒斷。若欲存“1”，則耦合處不置大電流，熔絲不斷。當(dāng)被選中，熔絲斷處將讀出“0”，未斷處將讀出“1”。由于已斷的熔絲是無法再恢復(fù)的，所以，這種ROM往往只能實(shí)現(xiàn)一次編程，不得再修改。

3.EPROM
（Erasable Programmable ROM）
我們根據(jù)能否形成浮動(dòng)?xùn)偶碝OS管能否正常導(dǎo)通判斷“1”或“0”的狀態(tài)。EPROM的改寫可用兩種方法，一種用紫外線照射，但是擦除時(shí)間比較長(zhǎng)，而且不能對(duì)個(gè)別需要改寫的單元進(jìn)行單獨(dú)擦除或重寫。另一種方法用電氣方法將存儲(chǔ)內(nèi)容擦除，再重寫。
在聯(lián)機(jī)條件下，用電擦除方式或頁擦除方式，既可局部擦寫，又可全部擦寫，這種EPROM就是EEPROM。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）
閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory），

總結(jié)

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