隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)

重點(diǎn):物理層面(芯片的角度)的地址。

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DRAM的特點(diǎn)：由電容構(gòu)成(電容只要有回路，就有泄漏想象，漏電，所以信息不穩(wěn)定)

主要特點(diǎn)：

需要定時(shí)刷新：定時(shí)對(duì)存儲(chǔ)元進(jìn)行讀或?qū)懖僮?電容充電、放電)-頻率很高。(如今的內(nèi)存條都是DRAM的)

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SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)：由雙穩(wěn)態(tài)電路構(gòu)成，存儲(chǔ)信息穩(wěn)定

示例芯片：SRAM?6264

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SRAM?6264：

容量：8K*8b(8K:指芯片上有8K個(gè)單元。8b指一字節(jié))

主要引線：

地址線：A0~A12(address)--2^13=8K

數(shù)據(jù)線：D0~D7(data)

輸出允許信號(hào)：#OE(#指低電平有效)

寫(xiě)允許信號(hào)：#WE

片選信號(hào)：#CS1,CS2(只有#CS1和CS都有效時(shí)，芯片才被激活)

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6264芯片與系統(tǒng)的連接

存儲(chǔ)器芯片與系統(tǒng)的連接分為兩部分：

1.確定要訪問(wèn)的存儲(chǔ)芯片

2.找到芯片后，尋找該芯片上訪問(wèn)單元

注：用芯片的13位地址編碼A0~A12尋址片內(nèi)的每個(gè)單元

譯碼電路設(shè)計(jì)

譯碼：將輸入的一個(gè)高位地址信號(hào)通過(guò)變換，產(chǎn)生一個(gè)有效的輸出信號(hào)，用于選中某一個(gè)存儲(chǔ)器芯片，從而確定了該存儲(chǔ)器芯片在內(nèi)存中的地址范圍

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譯碼方式

全地址譯碼：用全部的高位地址信號(hào)作為譯碼信號(hào)，使得存儲(chǔ)器芯片的每一個(gè)單元都占據(jù)一個(gè)唯一的內(nèi)存地址(無(wú)浪費(fèi)任何地址單元，都被有效的利用在但線路設(shè)計(jì)復(fù)雜)

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例：已知某SRAM6264芯片在內(nèi)存中的地址為：3E000H~3FFFFH。試畫(huà)出將該芯片連接到系統(tǒng)的譯碼電路。

設(shè)計(jì)步驟：

1.寫(xiě)出地址范圍的二進(jìn)制表示

2.確定各高位地址狀態(tài)

3.設(shè)計(jì)譯碼器。

思路：只要讓A13~A19用某個(gè)譯碼器讓其輸出為0

部分地址譯碼

用部分高位地址信號(hào)(不是全部)作為譯碼信號(hào)，使得被選中的存儲(chǔ)器芯片占有幾組不同地址范圍。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的微机个人笔记-随机存取存储器(RAM)的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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