RAM(课后答案)
RAM
1:
- 數據線
- 地址線
- RD
- WE
- CS
9
- 地址服用技術
- 采用地址服用技術的時候,通過行通選,和列通選,兩次傳送地址信號
- 因此地址線縮減為5根,數據線仍然為8根,再加上行列通選,以及讀寫(片選由行通選代替)
- 所以總共是 5 + 8 +4 = 17根
10
- 22 位 + 8 位= 30 位
- 但是DRAM采用、地址服用技術,地址線是原來的 1/ 2,故 為 11 + 8 = 19
12
- 閃存flush,讀比寫要快一些
- 存儲單元是由MOS管組成的
- 掉電之后信息不丟失,SSD
- 采用隨機訪問的方式,可以替代計算機外部的存儲器
13:
-
A
-
Cache RAM是易失性的存儲器
-
SRAM
-
DRAM也是易失性
-
FLASH 閃存,又叫做U盤,這個是非
-
SSD
-
PROM是只能一次的
-
EPROM雖然多次,但是也不能作為隨機存儲器
14:
- 閃存屬于EEPROM,隨機存取的,但是不是隨機存取存儲器
- 隨機存取存儲器特別指的是 RAM,
- ROM 是 只讀存儲器
15:
-
B、
-
內部的存儲器采用
-
RAM 和 ROM
-
操作系統在硬盤上,則內存存儲器使用RAM,操作系統肯定要在硬盤上,
-
所以需要引導程序,將BIOS從硬盤引導到RAM中
16:
- EPROM是可以多次重寫的,但是寫的時候是可以采用電擦除或者是紫外線擦除
- 所以說速度比較慢,不能作為隨機存取
17:
- 動態隨機存儲器
- 刷新的時候需要占用一個個存儲周期
18:
- 需要周期性刷新的是SDRAM
總結
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