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半導體存儲器的分類

半導體存儲器分為隨機存儲器RAM(Random Access Memory)和只讀存儲器ROM(Read Only Memory)。隨機存儲器特點就是斷電信息丟失，具有易失性；只讀存儲器特點就是永久保存，斷電續存。隨著需求發展，如今的只讀存儲器也具有了可寫特性。按照ROM原始定義，固態硬盤屬于ROM。

隨機存儲器RAM又可以分靜態RAM(SRAM,Static RAM)和動態RAM(DRAM,Dynamic RAM)。SRAM特點就是不斷電，信息就會持續不變；DRAM特點就是即使不斷電，信息也會衰減，需要動態進行信息的刷新。

SRAM一般使用雙穩態觸發器來記憶信息，能保持原狀態相對穩定，只要不斷電，信息不變；DRAM一般使用電容存儲電荷原理來記憶信息，由于電容存在電荷泄露問題，即使不斷電，信息也會慢慢衰減直到消失，所以需要給電容充電完成數據刷新。

一般DRAM比SRAM慢，原因之一為DRAM進行信息的刷新需要時間，影響存取速度。所以一般緩存使用SRAM，內存使用DRAM，ROM只用在外存。

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半導體存儲器的結構

半導體存儲器一般由多塊存儲芯片組成

一塊存儲器芯片構成：譯碼驅動電路，存儲矩陣，讀寫控制電路

存儲矩陣由存儲單元呈二維排列組成，是存儲器的存儲體；譯碼驅動電路主要是翻譯地址線，確定被選中的存儲單元；讀寫控制電路用來完成讀寫操作

半導體存儲器的四種線：地址線，數據線，片選線，讀寫控制線

地址線用來確定操作存儲單元的地址，片選線用來選擇被操作的存儲芯片，數據線用來傳輸數據，讀寫控制線用來確定讀或者寫操作

存儲容量計算：存儲芯片塊數*每塊存儲芯片容量

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DRAM的數據刷新(重點)

相對SRAM，DRAM需要動態進行數據刷新，以維持信息的狀態。通常，每隔一定時間必須進行一次刷新，稱此時間為刷新周期。

刷新的方式有三種：集中刷新，分散刷新，異步刷新

集中刷新：在一個刷新周期內，利用固定的時間段依次對所有行逐一刷新，在這段時間內停止對存儲器的讀寫操作(死時間)。此方法刷新頻率太高，大大降低了存儲效率。

分散刷新：把每行的刷新任務分散到各個工作周期中，每個工作周期完成兩部分工作，一部分進行讀寫操作，另一部分完成一行數據的刷新。這種方式增加了系統工作周期，降低了整機速度(注：一般工作周期遠小于刷新周期)。

異步刷新：將刷新周期除以行數得時間t，每隔時間t刷新一行。

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半導體存儲器發展展望

半導體存儲器是未來存儲器發展的主流方向，具有巨大的潛力。目前來看，其速度仍然遠遠不及CPU，相對其他類型存儲器價格又相對較貴，但其讀寫速度極快，是目前匹配高速系統較理想的存儲器。

總結

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