Flash Memory（閃存，Flash不是縮寫！）是非易失存儲器，可以對其內部稱為塊（Block）的存儲器單元進行擦寫和再編程。任何Flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先對相關“扇區”或“存儲塊”執行擦除。

Flash存儲器主要分為NOR Flash和NAND Flash兩大類：

NOR Flash是Intel公司于1988年推出，其采用與SRAM相同的接口，地址線與數據線分開，可實現字節級的隨機讀取，且接口簡單讀取速度快，因此可直接在NOR Flash內運行程序。但是NOR Flash成本高、存儲密度低，目前主要占據了1MB~16MB的市場，此外其擦寫壽命較低（數十萬次），且最大的缺點在于寫入速度非常低（秒量級），不適合進行大量數據的存儲。因此NOR Flash通常用于存儲系統的啟動程序或操作系統程序。

NAND Flash是東芝在1989年的國際固態電路研討會（ISSCC）上發表的，NAND Flash器件使用復雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同，8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息，需要借助外部主控和電路實現。NAND Flash具有較快的擦寫時間，而且每個存儲單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本，目前占據了8MB～128MB的市場。同時它的可抹除次數也高出NOR Flash十倍（數百萬次）。然而NAND Flash的I/O接口并沒有隨機存取外部地址總線，它必須以區塊性的方式進行順序讀取，NAND Flash典型的區塊大小是數百至數千比特。因為多數MPU與MCU要求字節等級的隨機存取，所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程序的ROM。從這樣的角度看來，NAND Flash比較像光盤、硬盤這類的次級存儲設備。NAND Flash非常適合用于儲存卡之類的大量存儲設備。

然而就可靠性而言，NAND Flash中存在數量較多且隨機分布的壞塊，這導致其位交換現象（在某些情況下一個比特位會發生反轉或被報告反轉了）發生的次數要比NOR多，生廠商以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。因此，NAND Flash器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤更正（EDC/ECC）算法。位反轉的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候，同時使用EDC/ECC算法。這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。這將進一步增加NAND Flash的使用難度。

Flash器件的接口有串行（Serial Peripheral Interface, SPI）接口和并行（Common Flash Interface, CFI）接口，通常的搭配組合為SPI的NOR Flash和CFI的NAND Flash。

這是因為不同存儲容量的NOR Flash需要用到不同數量的引腳，這將會為芯片產品系列的封裝一致性帶來極大的不變，大大增加成本，此外NOR Flash通常只會用于存儲數據量較小的程序或系統參數，對數據的吞吐速率要求較低，用SPI（甚至是2倍/4倍SPI）完全能夠滿足要求；而NAND Flash通常用于存儲大量的多媒體數據或搭載文件系統，對數據吞吐速率要求高，因此有必要使用并行的CFI。

總結

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