三星电子平泽 P1 工厂产线明年将迎来升级,转向更先进的第八代 NAND
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8 月 30 日消息,據(jù) etnews 報(bào)道,為了提高新一代 NAND 閃存的競(jìng)爭(zhēng)力,三星電子將在 2024 年升級(jí)其 NAND 核心設(shè)備供應(yīng)鏈,也就是其平澤 P1 工廠,未來(lái)大部分產(chǎn)線將從 V6 NAND 改為生產(chǎn)更先進(jìn)的 V8 NAND。
此舉一方面是變相減產(chǎn)以削減過(guò)高的 V6 NAND 庫(kù)存,另一方面也是為 V8 NAND 未來(lái)的產(chǎn)能擴(kuò)展做準(zhǔn)備。
報(bào)道稱,為了明年徹底改變 NAND 核心設(shè)備供應(yīng)鏈,各大 NAND 生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。
此前,外媒曾報(bào)道稱,三星電子的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫(kù)存在今年上半年都有一定程度的增加。在上半年結(jié)束時(shí),該公司旗下設(shè)備解決方案部門(mén)的庫(kù)存已增至 33.69 萬(wàn)億韓元,高于去年年底時(shí)的 29.06 萬(wàn)億韓元。
在今年第二季度的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上,三星電子高管表示,該公司計(jì)劃下半年繼續(xù)削減存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)量,尤其是 NAND 閃存的產(chǎn)量,以加速庫(kù)存正?;?/p>
上周,業(yè)界消息人士稱,為了減少 NAND 庫(kù)存,該公司將實(shí)施大規(guī)模減產(chǎn),目標(biāo)是到今年年底將庫(kù)存降至正常水平,即 6-8 周。
今年 8 月 21 日,業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子正在將日本東京電子(TEL)的最新設(shè)備引入其位于平澤園區(qū)的第三工廠(P3)的 NAND 生產(chǎn)線。該公司此次采購(gòu)的 TEL 設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。
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總結(jié)
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