一、7N65場效應管參數
KIA7N65功率MOSFET是采用起亞半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少對狀態的阻力，提供優越的開關性能，并在雪崩和換相模式下承受高能脈沖。設備非常適合于高效率的開關電源，有源功率因數校正基于半橋的拓撲結構。

(1)RDS(on)=1.2? @ VGS=10V

(2)低柵電荷（典型的29Nc）

(3)高堅固度

(4)快速切換

(5)100%雪崩試驗

(6)改進的dv/dt能力

二、7N65參數代換
7N65參數可代換KNB4665

knx4665b-通道增強模式硅柵電源MOSFET是專為高壓設計的。高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲的功率因數校正電子燈鎮流器。

(1)RDS(ON),typ=1.1Ω@VGS=10V

(2)符合ROHS要求

(3)低柵電荷最小化開關損耗

(4)快速恢復體二極管

總結

以上是生活随笔為你收集整理的7n65场效应管参数-7N65参数代换KIA4665的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網站內容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。