以前有寫過一篇文章“晶振”簡單介紹了晶振的一些簡單參數(shù)，今天我們來說下無源晶振的匹配電容計算方法：

如上圖，是常見的的無源晶振常見接法，而今天來說到就是這種常見電路的電容計算方法，有兩種：

A，知道晶振的負(fù)載電容Cload，需要計算Ce1與Ce2；

B，某些IC有推薦Ce1與Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找對應(yīng)的物料。

方法A：

如上圖：Ce1=Ce2=2*[Cl-(Cs+Ci)]

其中，Ce1,Ce2為晶振外部的負(fù)載電容，也即是匹配電容

Cl為晶振規(guī)格書的負(fù)載電容

Cs為PCB板的走線、IC PAD的寄生電容的和

Ci為IC的PIN寄生電容。

計算開始：

Cl通過規(guī)格書獲取，一般為20pF。

Cs與Ci采用估算值，Cstray=Cs+Ci。一直范圍為3pF~7pF。

那么：Ce1(min)=Ce2(min)=2*[20-7]=26pF

Ce1(max)=Ce2(max)=2*[20-3]=34pF

則這時候在這個區(qū)間選一個容值即可，基本沒多大問題。

方法B：

C1,C2為晶振的外部匹配電容

Cstray為trace,pad and chip的寄生電容

Cl則為我們需要的晶振參數(shù)。

計算開始：

如果chip有要求C1=C2=22pF,而Cstray范圍為3pF~7pF

那么：CL=11+（3~7）pF

CL（min）=14pF，CL（max）=18pF。

則可以拿著參數(shù)去找對應(yīng)的晶振型號。

總結(jié)：上面兩種方法，一種是先確定了晶振的參數(shù)，然后對應(yīng)去算匹配電容范圍，簡單方便。另外一種是根據(jù)平臺推薦的匹配電容，去算晶振的參數(shù)，然后去選擇對應(yīng)的型號。仔細看看，這兩種方法其實是一樣的。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的无源晶振匹配电容—计算方法的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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