圖1

當(dāng)摻雜5價(jià)磷的N型半導(dǎo)體和摻雜3價(jià)硼的P型半導(dǎo)體碰到一塊時(shí)，N型半導(dǎo)體中的電子會擴(kuò)散向P區(qū)，如圖1，?擴(kuò)散發(fā)生后，便會在交界處形成“空間電荷區(qū)”，空間電荷區(qū)中有電荷嗎，答案是肯定的，在擴(kuò)散平衡后，越靠近中線的N區(qū)，電子濃度越小，也就是在圖一中，越向右電子濃度越高，越向左，電子濃度越低，空穴濃度越高，此時(shí)人為定義在n區(qū)電子濃度小于某個濃度的左側(cè)和p區(qū)空穴濃度小于某一濃度的右側(cè)為空間電荷區(qū)，即耗盡層。無論是電子還是空穴，其濃度都是逐漸變化的，是“模擬的”。在空間電荷區(qū)中，越靠近中間，電場越大，越靠近兩側(cè)，電場越小。所有空間電荷區(qū)的電勢變化并不是直線。實(shí)際上根據(jù)半導(dǎo)體物理器件，pn節(jié)內(nèi)電場強(qiáng)度變化為直線，故電勢變化為二次函數(shù)關(guān)系。

圖2 圖3
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?如圖2，當(dāng)PN結(jié)接正向電壓時(shí)，外電源從p區(qū)抽取電子，將電子再送回n區(qū)，這時(shí)，從pn結(jié)內(nèi)部看，擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生的內(nèi)電勢被削弱了，因此，需要更多的擴(kuò)散運(yùn)動來補(bǔ)充，故電流持續(xù)不斷地流過。

如圖3，當(dāng)PN結(jié)接反向電壓時(shí)，外電源從n區(qū)抽取電子，將電子再送回p區(qū)，這相當(dāng)于什么，相當(dāng)于擴(kuò)散運(yùn)動通過外電源進(jìn)行了，從pn結(jié)內(nèi)部看，多子濃度整體減小，故耗盡層加寬。使得電流增大的只有少子飄移運(yùn)動，故電流很小。

齊納擊穿：

（1）課本解釋：在高摻雜的情況下,因耗盡層寬度很窄，不大的反向電壓就可在耗盡層形成很強(qiáng)的電場，而直接破壞共價(jià)鍵，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子 -空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。

（2）自我理解：摻雜濃度較高時(shí)，耗盡層為什么就窄，既然窄了，那么就可以想，擴(kuò)散運(yùn)動和飄移運(yùn)動相比，后者對濃度（長度？）更敏感。下面繼續(xù)，加反向電壓后，外界源幫助了擴(kuò)散運(yùn)動，擴(kuò)散運(yùn)動就想到于更強(qiáng)，就會產(chǎn)生更強(qiáng)的電場。故。

雪崩擊穿：

（1）課本解釋：。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，耗盡層的電場使少子加快漂移速度，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子與空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地倍增，致使電流急劇增加 ，這種擊穿稱為雪崩擊穿。

（2）自我理解：

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的PN结——“耗尽层”？的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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