1.學(xué)習(xí)目標(biāo)

了解光刻的整體概念

● 概述光致抗蝕劑，包括正抗蝕劑和負(fù)抗蝕劑 photoresist光致抗蝕劑 就是光刻膠

● 回顧光刻步驟

● 回顧光刻技術(shù)，包括不同的設(shè)備

2.光刻蝕技術(shù)種類 Lithography types

1.光刻（SUSS MA6）

2.納米壓印光刻（EVG 520）

3.電子束光刻（Raith EBPG 5200）

1. Photo lithography (SUSS MA6)

2. Nanoimprint lithography (EVG 520)

3. Electron beam lithography (Raith EBPG 5200)

Photo-litho-graphy: Greek: light-stone-writing

Photolithography is an optical mean of transferring a designed pattern onto a wafer

Designs are usually done using a CAD tool

攝影石刻：希臘語(yǔ)：輕石書(shū)寫(xiě)

光刻是一種將設(shè)計(jì)圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上的光學(xué)方法

設(shè)計(jì)通常使用CAD工具完成

例子：膠卷攝影 PCB板 CAD設(shè)計(jì) lithograph掩膜

4.光刻晶體管

5.工藝流程

?使用CAD工具進(jìn)行設(shè)備/電路設(shè)計(jì)

掩模制造

?光刻曝光系統(tǒng)（紫外線）

?感光膜（光刻膠）

?晶片和掩模的對(duì)準(zhǔn)

?光刻膠的曝光

?開(kāi)發(fā)模式

?曝光后處理（金屬化、蝕刻），然后發(fā)射

?晶圓上的物理結(jié)構(gòu)

? Device/circuit design using a CAD tool

? Mask manufacturing

? Lithography exposure system (UV light)

? Photosensitive film (photoresist)

? Alignment of wafer and mask

? Exposure of the photoresist

? Development of pattern

? Post exposure processing (metallization, etching) followed by liftoff

? Physical structure on the wafer

Process flow

1.surface preparation

Cleaning is carried out to remove typical

contaminants from the surface prior to resist coating,

these include:

? Dust from wafer scribing

? Dust from the atmosphere

? Particles

? Lint from wipes

? Photoresist residue from previous processing

在進(jìn)行抗蝕涂層之前，進(jìn)行清潔以去除表面的典型污染物，

這些措施包括：

?晶圓劃片產(chǎn)生的灰塵

?大氣中的灰塵

?粒子

?濕巾上的棉絨

?先前處理產(chǎn)生的光刻膠殘留物

標(biāo)準(zhǔn)清洗流程

5 minute soak in acetone with ultrasonic agitation

5 minute soak in methanol with ultrasonic agitation

5 minute soak in isopropanol with ultrasonic agitation

30 seconds water rinse using de-ionised water

在丙酮中超聲攪拌浸泡5分鐘

用超聲波攪拌在甲醇中浸泡5分鐘

在超聲波攪拌下，在異丙醇中浸泡5分鐘

用去離子水沖洗30秒

硅片底漆

Adhesion promoters are used to assist resist coating

-Resist adhesion is affected by:

Moisture on the surface

?Type of primer

?Resist chemistry

?Surface smoothness

?Surface contamination

附著力促進(jìn)劑用于輔助抗蝕涂層

-抗蝕劑附著力受以下因素影響：

表面水分

?底漆類型

?抗化學(xué)

?表面光滑度

?表面污染

aligner對(duì)準(zhǔn)器 Diwater 去離子水

Illumination 照明

使用真空泵將晶片固定在卡盤(pán)上

分配覆蓋晶圓表面2/3的抗蝕劑

通常通過(guò)緩慢旋轉(zhuǎn)開(kāi)始，以均勻分布抗蝕劑（500 rpm）

然后是更快的旋轉(zhuǎn)（3000–5000 rpm）

速度決定厚度和均勻性

Wafer is held onto the chuck using vacuum pump

Dispense resist that covers 2/3 of the wafer surface area

Usually start by slow spin to distribute the resist evenly (500 rpm)

Followed by faster spin (3000 – 5000 rpm)

The speed determines thickness and uniformity

?

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的光刻技术L1的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

如果覺(jué)得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。