LDO investigation
LDO即low dropout regulator,是一種低壓差線性穩(wěn)壓器。這是相對于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說的。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器,如78XX系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V,否則就不能正常工作。但是在一些情況下,這樣的條件顯然是太苛刻了,如5V轉(zhuǎn)3.3V,輸入與輸出之間的壓差只有1.7v,顯然這是不滿足傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的工作條件的。針對這種情況,芯片制造商們才研發(fā)出了LDO類的電壓轉(zhuǎn)換芯片。
壓差Dropout、噪音Noise、電源抑制比(PSRR)、靜態(tài)電流Iq,這是LDO的四大關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
產(chǎn)品設(shè)計師按產(chǎn)品負(fù)載對電性能的要求結(jié)合四大要素來選擇LDO。
在手機上用的LDO要求盡可能小的噪音(紋波),在沒有RF的便攜式產(chǎn)品需求靜態(tài)電流小的LDO。
壓差Dropout
Vin >= Vdrop + Vout。
且一般需要兩個外接電容:Cin、Cout,一般采用鉭電容或MLCC。
注意:LDO是穩(wěn)壓器。
一般典型的壓差電壓值為50mV,200mV,240mV,400mV。
[1]彭宇. 一種無片外電容的NMOS LDO[D].天津理工大學(xué),2022.
典型壓差電壓值約為82mV;【1.7V-1.2V-82mV】
輸入電壓在1.7-5.5V的范圍時,輸出電壓1.2-5V范圍。
噪音Noise
電源抑制比(PSRR)
一般LDO的電源電壓抑制比在70dB~80dB,少數(shù)為58dB左右。
可以看出,低頻時, PSRR為83 dB,頻率為100 kHz時, PSRR仍有30
總結(jié)
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