AMD CTO 暗示 MI300 加速器支持 HBM3E 内存,改版型号有望带来
2 月 27 日消息,在近日的 Arete 投資者網絡研討會電話會議上,AMD 首席技術官 Mark Papermaster 暗示 MI300 加速可支持 HBM3E 內存。
整理 Mark Papermaster 相關發言如下:
因此,我們為未來構建了架構:我們現在支持 8 層堆疊的 HBM,我們也為 12 層堆疊的 HBM 作了設計;我們推出的 MI300 搭載 HBM3 內存,我們也針對 HBM3E 進行了架構設計。
所以我們了解內存:我們擁有良好的關系,也擁有架構方面的專業知識,能夠真正掌握所需的能力。
在交付和供應鏈方面,我們不僅與存儲器供應商,還與臺積電和其他基板供應商以及 OSAT 社區有著深厚的合作歷史。
根據外媒 Tom's Hardware 掌握到的信息,AMD 在 Instinct MI300X 加速器上采用了單顆粒 24GB(12 層堆疊、單層 16Gb)的 HBM3 內存,而在 Instinct MI300A 數據中心 APU 上采用了單顆粒 16GB(8 層堆疊、單層 16Gb)的 HBM3 內存。Instinct MI300 系列均采用 8 個 HBM 堆棧,分別在 MI300X 和 MI300A 上實現 192/128GB 的總內存容量。
相較于 HBM3 內存,HBM3e 內存在速度上進一步提升:以 SK 海力士產品為例,其 HBM3 引腳傳輸速率達 6.4Gbps,而 HBM3e 在這一參數上提升至 9.2Gbps。同時換用 HBM3E 也可提升總內存大小:三星、海力士均推出了單顆 36GB 容量的 HBM3E 內存。
近日消息人士 @Kepler_L2 透露,AMD 將推出換用 HBM3e 的 MI300 改版,以低價與競品英偉達 B100 競爭,Mark Papermaster 的發言從側面為傳言增添了真實性。
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總結
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