hvt的cell其閾值電壓最大其摻雜濃度越高，其泄露功耗最小；

對于NPN的晶體管是n型半導體，其導電是電子，P襯底多子是空穴，摻雜越高電子越少，越難以導電，閾值電壓上升，泄露功耗變少。

對于PNP晶體管是P型半導體，其導電是空穴，N型襯底是電子，摻雜越高空穴越少，越難以導電。

總結

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