单晶XRD培养技术(二)
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常見的單晶生長方法
1.溶劑緩慢揮發法
揮發化合物的近飽和溶液
干凈光滑的器皿,但是全新的玻璃儀器效果往往也不好
合適的溶劑:沸點適中,不能太高或太低,60 ~ 90 度較合適。可以用不良溶劑和良溶劑的混合溶劑溶解化合物 (不良與良溶劑必須互溶,且沸點要高于良溶劑。如,甲醇里可加適量水),以避免在溶劑體積特別小時才析出晶體。
過濾:注意避免將濾紙上的纖維帶入濾液。
封口、揮發:可用保鮮膜封好口,用很細的針戳孔,通過孔的數量來控制揮發速度。
清潔穩定的環境
注意:緩慢揮發,不能讓溶劑完全揮發。
常用溶劑:甲醇、乙醇、氯仿、甲醇-水及 CH2Cl2-正己烷等。
2.液相擴散法
向良溶劑的溶液中擴散不良溶劑:適用于兩種溶劑中溶解度差別很大的化合物。
層鋪法:
上層:不良溶劑
中間:混和溶劑緩沖層
下層:良溶劑的溶液
(下層溶劑比重應比上層大,且兩種溶劑必須互溶。)
下層:CH2Cl2 (CHCl3) ? 上層:己烷 (庚烷、辛烷等)
下層: CH2Cl2 (CHCl3) ?上層:甲醇 (乙醇等)
3.氣相擴散法
A:良溶劑溶液,沸點較高
B:不良溶劑,沸點較低
常用溶劑體系:
適用于極性較大化合物:DMF/乙醚;MF/己烷
適用于極性較小化合物:DMF/水;DMSO/水
4.水熱法或溶劑熱法??
適用于特別難溶的化合物 (如二維或三維配位網絡),經常在反應生成某種化合物的同時,生長其晶體。該方法有時可以得到其他方法無法得到的奇特結構;
?需控制好溶劑和溫度,高溫條件下溶劑蒸汽自動產生一定壓力,反應一段時間后,控制降溫,冷卻到室溫之后,收集晶體。
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總結
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