一種模擬摻雜漲落對(duì)亞100nmMOSFET器件閾值電壓波動(dòng)影響的新方法（微電子系）ANewMethodtoSimulateRandomDopantInducedThresholdVoltageFluctuationsinSub-100nmMOSFET摘要本文提出了一種基于ISE（IntegratedSystemsEngineering）8.0模擬摻雜漲落對(duì)亞100nmMOSFET閾值電壓漲落影響的新方法。與以往的方法相比，本方法第一次實(shí)現(xiàn)了對(duì)沿垂直于溝道表面方向雜質(zhì)非均勻分布的MOSFET器件閾值電壓漲落的模擬，而且不僅考慮了離子數(shù)目的漲落，還考慮了離子在溝道中位置的漲落。所得到的結(jié)果也更接近...

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總結(jié)

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