亞閾值區(qū)NMOS Vth隨溫度變化曲線仿真【cadence】

一、測試電路搭建

這里我使用的工藝是SIMC的0.18微米工藝庫，電路如下圖：

其中NMOS的W/L設(shè)為6u/3u，可根據(jù)實(shí)際情況而定。

二、ADE_L仿真環(huán)境設(shè)置

Vds的初始值設(shè)定為80mV，Vgs的初始值設(shè)定為200mV，目的是保證NMOS工作于亞閾值區(qū)。

選擇使用dc分析，勾選Save DC Opearting point選項(xiàng)后，點(diǎn)擊OK。

點(diǎn)擊Tools，選擇parametric Analysis，掃描溫度變量temp，掃描方式隨意，點(diǎn)擊綠色運(yùn)行按鈕。

返回ADL_X界面，選擇Results Browser

在左上角選擇dcOpinfo，然后選擇NM1，在左下角雙擊Vth，即可得到Vthy隨溫度變化的曲線了（如右圖所示）。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的亚阈值区MOSFET阈值电压Vth随温度变化曲线仿真【Cadence】的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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