啊，不好意思，沒注意審題，題主問的是chopper input NMOS switch，不是input pair~~~

NMOS switch 不行的話要不先試試CMOS switch或者bootstrap switch ？

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vth是物理定律決定的，除非你有足夠大的能量讓foundary單獨為你調整，而且極有可能會有別的方面的trade-off。所以想要不一樣的vth溫漂的辦法是-----換foundary，或者換process。

話說和PVT作斗爭不正是IC工程師最大的樂趣么~~~~

好了回到正題，通常我們只能通過修改電路結構來適應器件的溫漂特性。比如說。

1，input增加一級pmos source follower leveling shifting，一來一去基本可以抵消溫漂？

2，如果電源電壓夠高，考慮PMOS input pair或者PMOS input pair + NMOS input pair？

3, 如果你用的工藝襯偏效應比較顯著，是不是可以考慮有意識的bulk biasing來緩解vth的溫漂？

總之啦，人是活的，辦法是想出來的，一個不行再換一個~~~~

總結

以上是生活随笔為你收集整理的mos管 rl_如何减小温度对MOS管阈值电压的影响?的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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