Symbol

符號

Parameter

參數(shù)

中文含義

詳解

以快捷芯KJ006N06T規(guī)格書為例

規(guī)格書下載鏈接

Channel

N、P、N+N、P+P、N+P

N管、P管、雙N管、雙P管、N+P管

代表不同的溝道

N-Channel，標(biāo)題已經(jīng)標(biāo)注這顆是N管

Package

封裝

不同的MOS管芯片有不同的封裝形式

TOLL-8L ，這是一種新型封裝，可實(shí)現(xiàn)大電流、低內(nèi)阻，是儲能、BMS、電機(jī)驅(qū)動理想的MOS

Quantity

數(shù)量

一包的數(shù)量，一般訂單量為該數(shù)量的整數(shù)倍

2000PCS，即一個小包裝的數(shù)量

Marking

絲印

用于標(biāo)志產(chǎn)品的型號、晶圓型號、生產(chǎn)日期

例如YWWXXX，Y為年，WW為周，XXX為晶圓后三位

見Marking Information

G、 S、D

Gate、Drain、Source

柵極、源極、漏極

柵級管腳接管理IC，源極、漏極

見2.Pin Description

VDS

Drain-source voltage

漏-源電壓、耐壓值

在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。

60V，一般說的多少伏的MOS管指的就是這個參數(shù)

ID

Conditions drain current

漏極直流電流、漏電流、最大漏源電流、連續(xù)漏電流

正常工作時，漏極與源極間所允許通過的最大電流，一般是在表面溫度25℃測試所得，這個參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減小。MOS管的工作電流不應(yīng)超過ID，實(shí)際開關(guān)電流通常小于ID 額定值@TC=25℃的一半，通常在1/3～1/4。

400A，25℃

267A，100℃

可以見過電流能力很強(qiáng)大

IDM

Pulsed drain current

最大脈沖漏電流

參數(shù)反映了器件可以處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠(yuǎn)高于連續(xù)的直流電流。

1200A

RDS(on)

Drain-source on-resistance

漏源通態(tài)電阻、導(dǎo)通電阻

在特定的 VGS (通常為 10V)、結(jié)溫及漏極電流的前提下，MOSFET 導(dǎo)通時漏源間的最大阻抗，它是一個非常重要的參數(shù)，決定了MOSFET導(dǎo)通時的消耗功率。此參數(shù)通常會隨結(jié)溫度的上升而有所增大（正溫度特性）。?故應(yīng)以此參數(shù)在最高作業(yè)結(jié)溫前提下的值作為損耗及壓降計(jì)算。

10V時，典型值為0.65mΩ，這種超低內(nèi)阻產(chǎn)品屬于業(yè)界頂極水平，與英飛凌可以一較高下

VGS

Gate-source voltage

柵-源電壓、門級開啟電壓、最大柵源電壓

柵源兩極間可以施加的最大電壓，一般為：-20V~+20V。設(shè)定該電壓的主要目的是防止電壓過高導(dǎo)致的柵氧化層損傷。實(shí)際柵氧化層可承受的電壓遠(yuǎn)高于額定電壓，但是會隨制造工藝的不同而改變，因此保持VGS在額定電壓以內(nèi)可以保證應(yīng)用的可靠性。

±20V

V(GS)th

Gate threshold voltage

柵源閾值電壓、開啟電壓(閥值電壓)。

當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過VGS(th)時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下ID等于1毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。該參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所降低，即當(dāng)溫度上升時，MOSFET將會在比較低的柵源電壓下開啟。

2-4V

EAS

Repetitive Avalanche Energy

單脈沖雪崩擊穿能量

如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標(biāo)定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。

2800 mJ

IDSS

Zero gate voltage drain current

柵-源短路的漏極電流

飽和漏源電流

柵極電壓VGS=0、VDS為一定值時的漏源電流，一般在微安級。

1 μA

IGSS

Gate-body leakage current

漏-源短路的柵極電流

柵源驅(qū)動電流或反向電流

特定的柵源電壓情況下流過柵極的漏電流，由于MOS輸入阻抗很大，IGSS一般在納安級。

±100 nA

VSD

Diode forward voltage

漏源間體內(nèi)反并聯(lián)二極管正向壓降

1.3 V

V(BR)DSS

Drain-source breakdown voltage

漏源擊穿電壓

在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達(dá)到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。

60V

Rth(j-a)

Thermal resistance from junction to ambient

結(jié)到環(huán)境的熱阻、結(jié)環(huán)熱阻

40

℃/W

Rth(j-c)

Thermal resistance from junction to case

結(jié)到管殼的熱阻、結(jié)殼熱阻

0.25℃/W

Rg

Gate resistance

柵極電阻

gfs

Forward transconductance

跨導(dǎo)

是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度。

Qg

Total Gate Charge

柵極總電荷量

單位nC，納庫。達(dá)到導(dǎo)通狀態(tài)時所需的總電荷量。Qg越小導(dǎo)通時間越短，開關(guān)損耗越小。

167nC，C是庫倫，nC是納庫

Ciss

Input capacitance

輸入電容、柵-源電容、門級電容

將漏源短接，用交流信號測得的柵極和源極之間的電容就是輸入電容。驅(qū)動電路和Ciss對器件的開啟和關(guān)斷延時有著直接的影響。

11574pF

Coss

Output capacitance

漏-源電容、輸出電容

1836pF

Crss

Reverse transfer capacitance

反向傳輸電容

196pF

td(on)

Turn-on delay time

導(dǎo)通延遲時間

導(dǎo)通延遲時間。從有輸入電壓上升到10%開始到VDS下降到其幅值90%的時間。

44nS

td(off)

Turn-off delay time

關(guān)斷延遲時間

斷延遲時間。輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關(guān)斷電壓時10%的時間。

154nS

tr

Rise time

上升時間

上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間。

132nS

tf

Fall time

下降時間

降時間。輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間。

137nS

PD

Power dissipation

耗散功率

最大耗散功率.是指場效應(yīng)管機(jī)能不變壞時所容許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有必定余量.此參數(shù)通常會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.

500W

Tj

operating junction temperature range

最大工作結(jié)溫

通常為150℃或175℃，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個溫度，并留有一定裕量。

175 ℃

Tstg

storage temperature range

存儲溫度范圍

-55-175 ℃