使用ST的HAL庫進(jìn)行開發(fā)，SDRAM使用的是W9825G6KH-6。

W9825G6KH-6共有4個(gè)Bank，13位行地址，9位列地址，位寬是16位，

所以芯片的容量是：4x8192x512x16=256Mbits=32MBytes。

W9825G6KH-6的原理圖如下：

FMC_D0~15：16位數(shù)據(jù)線；

FMC_A0~12：13位地址線，行地址與列地址是公用的，作為行地址時(shí)使用了0~12位，作為列地址時(shí)使用了0~8位；

FMC_SDNWE：低電平時(shí)寫，高電平時(shí)讀；

FMC_SDNCAS：列地址選通信號(hào)，低電平有效；

FMC_SDNRAS：行地址選通信號(hào)，低電平有效；

FMC_SDNE0：片選信號(hào)，低電平有效；

FMC_BA0~1：Bank選擇信號(hào)；

FMC_SDCKE0：時(shí)鐘使能信號(hào)；

FMC_SDCLK：時(shí)鐘信號(hào)；

FMC_NBL0~1：寫訪問的輸出字節(jié)屏蔽。

STM32F429自帶FMC外設(shè)，可以對(duì)多種外部存儲(chǔ)器進(jìn)行控制，存儲(chǔ)區(qū)域?qū)?yīng)如下：

我們使用的是Bank5，也就是SDRAM Bank1。

我們要做的就是對(duì)SDRAM進(jìn)行初始化配置，初始化成功后即可對(duì)指定的內(nèi)存進(jìn)行訪問，單片機(jī)和外部SDRAM之間的讀寫時(shí)序

是由外設(shè)自動(dòng)產(chǎn)生的，不需要程序進(jìn)行控制，非常方便。

STM32F4xx參考手冊(cè)中對(duì)SDRAM的初始化過程如下：

使用STM32CubeMx生成FMC的初始化代碼，如下：

void MX_FMC_Init(void) {FMC_SDRAM_TimingTypeDef SdramTiming;/** Perform the SDRAM1 memory initialization sequence*/hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;/* hsdram1.Init */hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1; //使用SDRAM Bank1hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9; //列寬度9位hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13; //行寬度13位hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16; //數(shù)據(jù)總線為16位hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4; //SDRAM內(nèi)部Bank數(shù)為4個(gè)hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3; //CAS為3，表示發(fā)送完讀時(shí)序后延遲3個(gè)時(shí)鐘周期返回?cái)?shù)據(jù)hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE; //忽略寫保護(hù)hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2; //SDRAM時(shí)鐘SDCLK = HCLK/2 = 180MHz / 2 = 90MHzhsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE; //失能突然讀模式hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1; //讀通道延時(shí)1個(gè)時(shí)鐘周期，在CAS延時(shí)后延時(shí)讀取數(shù)據(jù)的時(shí)鐘個(gè)數(shù)/* SdramTiming */SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2; //TMRD/TRSC，2個(gè)時(shí)鐘周期SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 8; //TXSR，8個(gè)時(shí)鐘周期SdramTiming.SelfRefreshTime = 6; //TRAS，6個(gè)時(shí)鐘周期SdramTiming.RowCycleDelay = 6; //TRC，6個(gè)時(shí)鐘周期SdramTiming.WriteRecoveryTime = 4; //TWR，4個(gè)時(shí)鐘周期SdramTiming.RPDelay = 2; //TRP，2個(gè)時(shí)鐘周期SdramTiming.RCDDelay = 2; //TRCD，2個(gè)時(shí)鐘周期if (HAL_SDRAM_Init(&hsdram1, &SdramTiming) != HAL_OK){_Error_Handler(__FILE__, __LINE__);} }

上述FMC的初始化代碼完成了SDRAM初始化中的1、2兩個(gè)步驟；
接下來添加SDRAM初始化中的步驟3~8：

uint8_t SDRAM_SendCommand(uint32_t CommandMode, uint32_t Bank, uint32_t RefreshNum, uint32_t RegVal) {uint32_t CommandTarget;FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;if(Bank == 1)CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;else if(Bank == 2)CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;Command.CommandMode = CommandMode;Command.CommandTarget = CommandTarget;Command.AutoRefreshNumber = RefreshNum;Command.ModeRegisterDefinition = RegVal;if(HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, 0x1000) == HAL_OK)return 1;elsereturn 0; } void SDRAM_Init(void) {uint32_t temp;SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE, 1, 1, 0); //步驟3：使能時(shí)鐘信號(hào)，SDCKE0 = 1Delay_us(500); //步驟4：至少延時(shí)200usSDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_PALL, 1, 1, 0); //步驟5：發(fā)送全部預(yù)充電命令SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE, 1, 8, 0); //步驟6：設(shè)置自動(dòng)刷新次數(shù)temp = SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1 | //設(shè)置突發(fā)長度：1SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL | //設(shè)置突發(fā)類型：連續(xù)SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3 | //設(shè)置CAS值：3SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD | //設(shè)置操作模式：標(biāo)準(zhǔn)SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE; //設(shè)置突發(fā)寫模式：單點(diǎn)訪問SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE, 1, 1, temp); //步驟7：裝載模式寄存器的值//SDRAM刷新周期是64ms，行數(shù)是8192行，時(shí)鐘頻率是180MHz/2=90MHz//所有COUNT = (64ms/8192)/(1/90us)-20 = 64000*90/8192-20 = 683HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1, 683); //步驟8：設(shè)置刷新速率 }

函數(shù)SDRAM_SendCommand()用來發(fā)送命令，內(nèi)部調(diào)用了HAL的庫函數(shù)HAL_SDRAM_SendCommand()發(fā)送配置命令；

函數(shù)SDRAM_Init()完成了SDRAM初始化中的步驟3~8。

至此，我們就完成了對(duì)SDRAM的初始化操作，此時(shí)外部SDRAM已經(jīng)被映射到了相應(yīng)的內(nèi)存地址；需要注意的是，
SDRAM Bank1的地址是從0xC0000000~0xCFFFFFFF，SDRAM Bank2的地址是從0xD0000000~0xDFFFFFFF，
我們使用的是SDRAM Bank1，并且外部SDRAM的大小是32M字節(jié)，所以對(duì)應(yīng)的內(nèi)存地址范圍是0xC0000000~0xC1FFFFFF。
接下來就測(cè)試一下SDRAM的讀寫：

#define SDRAM_BANK1_BASE_ADDRESS 0xC0000000 //SDRAM Bank1起始地址 #define SDRAM_HALF_WORD_SIZE 0x1000000 //定義16M個(gè)的16bits數(shù)據(jù)，共32M字節(jié)__no_init uint16_t uhSdramArray[SDRAM_HALF_WORD_SIZE] @SDRAM_BANK1_BASE_ADDRESS; //強(qiáng)制定義數(shù)組在SDRAM的內(nèi)存中void SDRAM_Test(void) {uint32_t i;for(i = 0; i < SDRAM_HALF_WORD_SIZE; i++){uhSdramArray[i] = i; //對(duì)整個(gè)數(shù)組進(jìn)行賦值}for(i = 0; i < SDRAM_HALF_WORD_SIZE; i += 4096){printf("uhSdramArray[%d] = %d\r\n", i, uhSdramArray[i]); //對(duì)數(shù)組中的數(shù)據(jù)間隔4096個(gè)進(jìn)行串口打印} }串口打印結(jié)果如下，數(shù)據(jù)太多，沒有全部顯示，

。

。

SDRAM測(cè)試結(jié)束。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的基于STM32F429的SDRAM使用的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。