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PMOS沒有體效應(yīng)

首先體效應(yīng)是因?yàn)橐r底電壓比源極電壓更低之后導(dǎo)致溝道處的耗盡區(qū)寬度更寬從而導(dǎo)致閾值電壓更高。如果說襯底的電壓和源極的電壓相同，那么就不存在體效應(yīng)。現(xiàn)有的集成電路工藝中所有的NMOS是直接做到襯底上的（襯底為P摻雜），電路中不同位置NMOS因?yàn)檫B接的結(jié)構(gòu)不同，所以源極的電壓都不一樣，這個(gè)時(shí)候就沒辦法把襯底跟所有的源極短接，那樣就短路了。

PMOS的襯底是生長(zhǎng)在NWell，因此Nwell可以獨(dú)立提供一個(gè)電位去除體效應(yīng)

體效應(yīng)使共柵極的Rin更小

NMOS是一個(gè)雙柵結(jié)構(gòu)，除了柵極G還有襯底B，考慮體效應(yīng)后相當(dāng)于兩個(gè)受控電流源并聯(lián)，導(dǎo)致電流增大，相當(dāng)于Rin減小

二極管連接負(fù)載

缺點(diǎn)：對(duì)于二極管連接或者電阻作為負(fù)載,增益為-gmRout，但是通過增大阻值會(huì)使晶體管的擺幅減小

溝道調(diào)制效應(yīng)

如果考慮溝道調(diào)制效應(yīng)，本征增益(instrinct gain) gmro=sqrt(2WLmuCoxID)/(lamda*Id),增益隨著L的增加而增加，這是因?yàn)閘amda比gm更依賴L，同樣注意到增益隨著電流Id的增大而減小

為什么溝道長(zhǎng)度影響晶體管速度

這個(gè)問題可以從參數(shù)fT描述，fT的是電流增益為1的頻率，表達(dá)式為fT=gm/[(Cgs+Cgd)*2*pi]，而gm=muCoxW/L*(Vgs-Vth)，而Cgs+Cgd=CoxWL，那么fT={muCoxW/L*(Vgs-Vth)}/(CoxWL2pi)=mu*(Vgs-Vth)/(2piL^2)

噪聲學(xué)習(xí)

1、噪聲，研究電壓無意義，噪聲電壓是一個(gè)隨機(jī)的均值為零的信號(hào)，我們更關(guān)注噪聲的功率信號(hào)，因?yàn)楹芏嗲闆r下噪聲為白噪聲，噪聲與帶寬是一對(duì)矛盾；
2、為什么在研究噪聲時(shí)不考慮ro，因?yàn)閞0是一個(gè)溝道調(diào)制的等效電阻，不產(chǎn)生實(shí)際噪聲
3、證明研究噪聲時(shí)的等效電路，為何需要一個(gè)串聯(lián)電壓噪聲源和并聯(lián)電流噪聲源？原因：由于源阻抗和輸入阻抗之間存在耦合，但考慮其中一個(gè)噪聲有可能導(dǎo)致噪聲偏小
4、為何在計(jì)算噪聲時(shí)通常做等效輸入電壓or電流噪聲源，其實(shí)是一個(gè)歸一化工程，如果一個(gè)電路的噪聲大，但是它本生的增益就很高，那么他的信噪比就比較好，反之，一個(gè)電路的噪聲很低但是電路本身是一個(gè)衰減的，那么他只會(huì)貢獻(xiàn)噪聲，而不是抑制噪聲

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的模拟CMO-拉扎维的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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