电源硬件设计----半桥变换器(Half-Bridge Converter)基础
1 半橋變換器(Half-Bridge Converter)拓撲結構
半橋變換器拓撲結構,如圖所示:
拓撲結構分析:
- 輸入電壓 Vi
- 輸出電壓 Vo
- 開關組件 S1
- 開關組件 S2
- 變壓器 T
- 分隔電容 C1
- 分隔電容 C2
- 原邊線圈圈數 Np
- 副邊線圈圈數 Ns1
- 副邊線圈圈數 Ns2
- 理想整流二極管 D1
- 理想整流二極管 D2
- 儲能電容 L
- 濾波電容 C
2 半橋變換器(Half-Bridge Converter)原理
半橋變換器(Half-Bridge Converter)拓撲結構,如圖所示:
S1導通S2關斷時:
- 電流由輸入電壓端流經S1、變壓器原邊線圈與C2形成電流回路。此時變壓器原邊線圈兩端壓降為Vi-Vi/2=Vi/2
- 變壓器原邊線圈因電流流過而產生磁力線,磁力線透過鐵芯傳到副邊線圈1,副邊線圈1產生感應電勢
- 副邊線圈1兩端感應電壓Vi/(2*n),使得理想整流二極管D1導通,電流形成回路,通過D1、輸出儲能電感與輸出電容
- 副邊儲能電感兩端固定壓降VL,使得電感線圈上產生電流,此增加的電流于電感鐵芯內累積磁力線,直到S1關閉為止
S1關斷S2關斷時:
- 原邊線圈因S1關斷,原邊無電流回路產生,變壓器停止傳輸能量,此時變壓器副邊線圈1和線圈2,端點電壓皆為0
- 副邊電流方向由儲能電感到輸出電容,經過兩線圈共同連接點,各一半電流到D1與D2,回到儲能電感
- 電感產生反電勢致使D1與D2同時導通,儲能電感在開關關斷時續流,電感上壓降與輸出相同
- 儲存電感將導通時間儲存在鐵芯內的磁力線,透過電感上的感應線圈以電流形式進行釋放
S1關斷S2導通時:
- 電流由輸入電壓端流經C1、變壓器原邊線圈與S2形成電流回路,此時變壓器原邊線圈兩端壓降為Vi-Vi/2=Vi/2
- 變壓器原邊線圈因電流流過而產生磁力線,其磁力線透過鐵芯傳到副邊線圈2,副邊線圈2產生感應電勢
- 副邊線圈2兩端感應電壓Vi/(2*n),使得理想整流二極管D2導通。電流形成回路,通過D2、輸出儲能電感與輸出電容
- 副邊儲能電感兩端固定壓降VL,使得電感線圈上產生電流,該增加的電流在電感鐵芯內累積磁力線,直到S2關閉為止
S1關斷S2關斷時:
- 原邊線圈因S2關斷,原邊無電流回路產生,變壓器停止傳輸能量,此時變壓器副邊線圈1和線圈2,端點電壓皆為0
- 副邊電流方向由儲能電感到輸出電容,經過兩線圈共同連接點,各一半電流到D1與D2,回到儲能電感
- 電感產生反電勢致使D1與D2同時導通,儲能電感在開關關斷時續流,電感上壓降與輸出相同
- 儲存電感將導通時間儲存在鐵芯內的磁力線,透過電感上的感應線圈以電流形式進行釋放
半橋變換器電壓轉換公式:
D1 = 占空比(每半周期)
 T = 周期
 n = 變壓器匝比
電壓波形如圖所示:
 半橋變換器電壓轉換公式:
 
D2 = 占空比(每半周期)
 T = 周期
 n = 變壓器匝比
電壓波形如圖所示:
 
 半橋變換器電壓轉換公式:
 
 D = 占空比(每半周期)
 T = 周期
 n = 變壓器匝比
半橋變換器的占空比:
半橋變換器在S1和S2各半周期交替開關,成一完整周期,此完整周期在變壓器原邊線圈兩端電壓Vp上。S1導通且S2關斷時的半周期為正壓降;S2導通且S1關斷時的半周期為負壓降。S1和S2分別導通、關斷時間相同,所以副邊Vf上呈現半周期重復且導通時間相同、大小相同的電壓,定義占空比為D。D定義為T/2內,副邊能量傳輸的占空比。
3 半橋變換器(Half-Bridge Converter)應用舉例
已知:輸入電壓值為 Vi
 給定:變壓器匝比為 n
 調制:占空比為 D(T/2)
 得出:輸出電壓值為 Vo
 
應用舉例:
應用于輸入電壓為100V,隔離輸出電壓需求為5V,隔離變壓器匝比為5。求占空比需控制在多少才能使得輸出電壓穩定在5V?
4 半橋變換器(Half-Bridge Converter)應用環境
半橋變換器特點:
| 拓撲形式 | 隔離降壓型 | 
| 壓比(Vo/Vi) | D/2n(每半周期) | 
| 變壓器利用率 | 高 | 
| 功率應用范圍 | <800W | 
| 功率密度 | 較高 | 
| 開關管 | 兩個(原邊主動開關) | 
| 成本 | 高 | 
| 調制方式 | 脈沖寬度調制(PWM) | 
| 控制芯片 | UCC28250 | 
應用環境:
- 中高功率輸出需求
- 較高功率密度產品應用
- 較高效率要求產品應用
希望本文對大家有幫助,上文若有不妥之處,歡迎指正
分享決定高度,學習拉開差距
總結
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