大家好，我是寫代碼的籃球球癡，轉(zhuǎn)一篇我朋友記得誠的文章

本文轉(zhuǎn)載來自一位基帶大佬，解決問題的思路很重要。

原文鏈接：

https://blog.csdn.net/AirCity123/article/details/104428325?spm=1001.2014.3001.5502

某手機的充電架構(gòu)如下，主Charger用的是高通MSM8953平臺套片的PMI8952，輔Charger用的是TI的BQ25898C。

兩個Charger可以單獨工作，也可以同時工作，分開放置的目的是更好的散熱。

當BQ25898單獨工作時，軟件設(shè)置電流超過1.5A時，實測進入電池的電流總是比設(shè)置的值少。結(jié)果如下：

經(jīng)交叉驗證，此IC換到TI的EVB上，電流誤差都在要求以內(nèi)，IC本身沒問題。

排查寄存器配置，軟件反饋也沒有問題。

此后把注意力放在PCB Layout上。下面是BQ25898C的內(nèi)部架構(gòu)圖，Q4的存在證明了這個充電IC是一個帶電源路徑管理的IC。

把Q4部分放大，能看到這個IC是通過檢測經(jīng)過Q4的電流來判斷設(shè)置電流是否正確的，那么如何得知Q4的電流呢？

BQ25898C的Q4其實是由5個并聯(lián)的MOS組成，每個MOS是一個充電通道，當設(shè)置充電電流為1.5A以下時，通道的阻抗為28mohm，當設(shè)置為1.5A以上時，通道阻抗為8mohm；芯片內(nèi)部只檢測這5個通道中最中間的那個通道的電流，是否正常。

當時手機項目的走線情況如下：

可以看到這5個通道分別占用了5對Pad，這個走線并不好，因為考慮到走線的阻抗，最上面的MOS的電流通路阻抗最小，最下面的MOS電流通路阻抗最大。我們對走線阻抗做如下假設(shè)：

圖中計算的并聯(lián)阻抗是從第一通道看進去，計算出的阻抗。

BQ25898是根據(jù)通道3兩端的電壓來判斷，實際電流值與設(shè)置電流值是否一致。比如寄存器設(shè)置充電電流是1.5A，那么只要檢測到通道3的電流是0.3A，芯片就認為正常。

當通道3電流是0.3A時，另外幾個通道的電流計算如下：

從通道3的兩個pad看出去，通道2和4的阻抗是一樣的，通道1和5的阻抗是一樣的。

通道2和4的電流=0.3Ax8/10=0.24A；

通道1和5的電流=0.3x8/12=0.2A；

所有通道電流之和=0.3A+0.24x2+0.2Ax2=1.18A。

很顯然，實際電流不等于設(shè)置電流。

所以說，這個問題的根本原因是PCB Layout導致，BQ25898C的VSYS和VBAT的走線不好，沒有讓5個通道的MOS的電流路徑對稱。

解決方案如下：

1、Vbat和Vsys的PIN鋪一大塊銅皮，并且加厚，減小阻抗。

2、保證每個通道的阻抗是對稱的。

今天的文章內(nèi)容到這里就結(jié)束了，希望對你有幫助，我們下一期見。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的手机充电IC设置电流与实测电流不一致问题剖析的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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