半導體導電的機理。

Gated和Non-gated channel情況下的仿真。

C. A. Liu, X. J. Li, Y. Y. Luo, Y. Wang, S. J. Hu, C. N. Liu, X. C. Liang, H. Zhou, J. Chen, J. C. She and S. Z. Deng, How Materials and Device Factors Determine the Performance: A Unified Solution for Transistors with Nontrivial Gates and Transistor-Diode Hybrid Integration, ADVANCED SCIENCE, DOI: 10.1002/advs.202104896. (DOI: https://doi.org/10.1002/advs.202104896)

總結

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