400亿美元建设美国3nm芯片厂 台积电有苦说不出:成本高出5倍
原本只計(jì)劃在美國(guó)建設(shè)5nm芯片廠的臺(tái)積電在去年底態(tài)度大變,對(duì)美國(guó)的投資大增,而且先進(jìn)工藝也要轉(zhuǎn)移出去,計(jì)劃投資400億美元建設(shè)3nm芯片廠。
據(jù)臺(tái)積電所說(shuō),其亞利桑那州工廠將開(kāi)始興建第二期工程,預(yù)計(jì)于2026年開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程技術(shù),該廠目前興建中的第一期工程預(yù)計(jì)于2024年開(kāi)始生產(chǎn)4nm制程技術(shù)(原計(jì)劃是5nm),兩期工程總投資金額約為400億美元。
臺(tái)積電表示,除了幫助建設(shè)廠房地的1萬(wàn)多名建筑工人外,臺(tái)積電亞利桑那州的兩座晶圓廠預(yù)計(jì)將額外創(chuàng)造1萬(wàn)個(gè)高薪高科技工作崗位,其中包括4500個(gè)直接受雇于臺(tái)積電的工作崗位。
然而臺(tái)積電選擇美國(guó)建廠不是沒(méi)有代價(jià)的,在日前的說(shuō)法會(huì)上,臺(tái)積電CEO魏哲家承認(rèn),美國(guó)直接建廠的廠房成本發(fā)是臺(tái)積電的四五倍,這不僅要?dú)w咎于美國(guó)的通脹及各種人工成本,還有各種許可證的額外成本,包括環(huán)境影響評(píng)估等等。
在美國(guó)建廠的成本原告于本土,但臺(tái)積電表示將尋求各種方式來(lái)降低成本。
總結(jié)
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