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晶體管輸出特性曲線主要包括3個(gè)區(qū)域：截止區(qū)，放大區(qū)，飽和區(qū)。3個(gè)區(qū)域表示晶體管不同的工作狀態(tài)。下面根據(jù)3個(gè)區(qū)域分別介紹晶體管的輸出特性。

截止區(qū)

晶體管截止區(qū)是指晶體管輸出特性曲線中晶體管輸入電流為0所對(duì)應(yīng)曲線下方的區(qū)域。對(duì)于共射接法的晶體管，截止區(qū)是指晶體管輸出特性曲線中Ib=0曲線下方的區(qū)域，而Ib=0是因?yàn)閂be<Von，即基射電壓低于死區(qū)電壓，故也可將截止區(qū)定義為Vbe<Von的區(qū)域。

在截止區(qū)內(nèi)，基極電流Ib=0，集電極電流Ic≤Icbo，幾乎等于0，僅有極微小的反向穿透電流Iceo流過(guò)，硅三極管的Iceo通常都在1μA以下。事實(shí)上，應(yīng)該把Ie=0，即Ic≤Icbo的區(qū)域叫做截止區(qū)。此時(shí)，集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均處于反向偏置狀態(tài)。

放大區(qū)

晶體管放大區(qū)是指晶體管輸出特性曲線中每條曲線近似水平部分的集合所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。這表明，在集射電壓U(CE)一定的范圍內(nèi)，集電極電流I(C)與U(CE)無(wú)關(guān)，只取決于I(B)的值。根據(jù)這一特性，可實(shí)現(xiàn)利用I(B)的變化去線性地控制I(C)的變化，從而實(shí)現(xiàn)電流的線性放大，故放大區(qū)也成為線性區(qū)。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，I(C)=β·I(B) , 且△I(C) =β·△I(B)。

飽和區(qū)

晶體管飽和區(qū)是指集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正偏，集電極電流不受基極電流控制的區(qū)域，也稱飽和工作區(qū)。對(duì)于共射接法晶體管，飽和區(qū)是I(B)>0和U(CE)<0.7V的區(qū)域。

當(dāng)U(CE)<0.7V時(shí)，U(CB)=U(CE)<U(BE)，集電結(jié)正偏，若U(CE)很小（如0.1V~0.3V），即使I(B)增大，I(C)也很少增加，即集電結(jié)吸引來(lái)自發(fā)射區(qū)多子的能力大大下降，已經(jīng)“飽和”了。也可以用曲線U(CE)=U(BE)作為飽和區(qū)和放大區(qū)的分界線。

綜上，晶體管在飽和區(qū)內(nèi)工作時(shí)的主要特點(diǎn)有：

（1）集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正偏；

（2）I(C)取值與U(CE)有很大關(guān)系，I(C)隨U(CE)的增大而增大；

（3）I(C)取值與I(B)不成比例，線性放大無(wú)法實(shí)現(xiàn)；

（4）晶體管沒(méi)有放大作用，集電極和發(fā)射極相當(dāng)于短路，可與截止區(qū)配合，用于開(kāi)關(guān)電路。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是什么(三极管的输入输出的特性曲线)的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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